[发明专利]不降低透明基材光穿透率的透明水基纳米溶胶凝胶涂料有效
申请号: | 200710194521.5 | 申请日: | 2007-11-20 |
公开(公告)号: | CN101440255A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 刘文泉;黄建国;蒋孝澈 | 申请(专利权)人: | 泉耀科技股份有限公司 |
主分类号: | C09D183/04 | 分类号: | C09D183/04;C09D5/00;C03C17/32;C08J7/04 |
代理公司: | 上海天翔知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄 静 |
地址: | 台湾省台北县汐*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 降低 透明 基材 穿透 纳米 溶胶 凝胶 涂料 | ||
1.一种不降低透明基材光穿透率的透明水基纳米溶胶凝胶涂料,由以下组分组 成:
所述的聚硅氧烷衍生物选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基 三丁氧基硅烷、三甲基二乙基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、正丙基三乙氧基 硅烷、正丙基三丙氧基硅烷、或甲基三丁氧基硅烷;
所述的非离子界面活性剂选自聚氧乙烯山梨醇月桂酸酯、聚氧乙基油酰醚、 聚氧乙基硬脂酰基醚、聚氧乙基山梨糖醇酐月桂酸酯、或油酸二乙醇酰胺;
所述透明水基纳米沸石溶胶凝胶的制备是以按摩尔比例正硅酸乙酯∶四丙 基氢氧化铵∶水=1∶0.25~0.75∶40~80配制水解溶液,设定水浴温度85℃,开始加 热搅拌,反应48~72小时即可得透明水基纳米沸石溶胶凝胶;
2.按照权利要求1所述的一种不降低透明基材光穿透率的透明水基纳米溶胶凝 胶涂料,其特征在于:其中透明水基沸石溶胶凝胶固含量0.1~10wt%;聚硅氧 烷衍生物固含量为0.001~7wt%;非离子界面活性剂固含量为0.001~5wt%; 透明水基二氧化钛光触媒溶胶固含量为0.1~1.5wt%。
3.按照权利要求1或2所述的一种不降低透明基材光穿透率的透明水基纳米溶 胶凝胶涂料,其特征在于:其中透明水基沸石溶胶凝胶固含量为0.1~5wt%; 聚硅氧烷衍生物固含量0.01~3wt%;非离子界面活性剂固含量为0.01~3wt %;透明水基二氧化钛光触媒溶胶固含量为0.1~1wt%。
4.权利要求1所述的一种不降低透明基材光穿透率的透明水基纳米溶胶凝胶涂 料在透明基材上的应用,所述的透明基材为玻璃或塑料材质,所述玻璃选自透 明玻璃,所述塑料选自透明聚碳酸酯、透明聚甲基丙烯酸树脂、透明聚苯乙烯 树脂或透明环氧树脂。
5.权利要求1所述的一种不降低透明基材光穿透率的透明水基纳米溶胶凝胶涂 料在透明基材上的涂布方法,包含下列步骤:
(i)透明水基纳米溶胶凝胶涂料调配
将不降低透明基材光穿透率的透明水基纳米溶胶凝胶涂料中各组分经充分 搅拌混合均匀并过滤,获得透明水基纳米溶胶凝胶涂料;
(ii)透明基材表面涂层制备
将该透明水基纳米溶胶凝胶涂料均匀涂布于透明基材表面形成一层透明涂 层,保持涂层外观之均匀性,进行涂层固化。
6.按照权利要求5所述的一种不降低透明基材光穿透率的透明水基纳米溶胶凝 胶涂料在透明基材上的涂布方法,其特征在于涂布方法选自滚涂法、擦涂法、 刷涂法、浸涂法、喷涂法、旋涂法和淋涂法中之任一种湿式涂布法,将该透明 水基纳米溶胶凝胶涂料单面涂布或双面涂布均匀涂布于透明基材表面。
7.按照权利要求5所述的一种不降低透明基材光穿透率的透明水基纳米溶胶凝 胶涂料在透明基材上的涂布方法,其特征在于以自然风干24小时以上、或于 450℃以下温度加热5分钟以上的任一种条件进行涂层固化。
8.按照权利要求5所述的一种不降低透明基材光穿透率的透明水基纳米溶胶凝 胶涂料在透明基材上的涂布方法,其特征在于涂布后所形成透明水基涂层干膜 厚度介于40~350nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉耀科技股份有限公司,未经泉耀科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710194521.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C09D 涂料组合物,例如色漆、清漆或天然漆;填充浆料;化学涂料或油墨的去除剂;油墨;改正液;木材着色剂;用于着色或印刷的浆料或固体;原料为此的应用
C09D183-00 基于由只在主链中形成含硅的、有或没有硫、氮、氧或碳键反应得到的高分子化合物的涂料组合物;基于此种聚合物衍生物的涂料组合物
C09D183-02 .聚硅酸酯
C09D183-04 .聚硅氧烷
C09D183-10 .含有聚硅氧烷链区的嵌段或接枝共聚物
C09D183-14 .其中至少两个,但不是所有的硅原子与氧以外的原子连接
C09D183-16 .其中所有的硅原子与氧以外的原子连接