[发明专利]半导体器件及树脂密封型半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的多个MOS晶体管；

在所述多个MOS晶体管之上形成的双镶嵌结构布线的许多层，各层具有在第一绝缘层中形成的第一铜材料布线以及在第二绝缘层中形成的第二铜材料布线，所述第二布线在所述第一布线上且在所述第一绝缘层之上形成；

在所述双镶嵌结构布线的最高层之上形成的第三绝缘层；以及

在所述第三绝缘层之上形成的焊盘部；

其中，所述双镶嵌结构布线的所述最高层的所述第二绝缘层具有比所述双镶嵌结构布线的所述最低层的所述第二绝缘层的介电常数高的介电常数。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述双镶嵌结构布线的所述最高层的所述第二绝缘层包含氟掺杂的氧化硅膜。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述双镶嵌结构布线的所述最低层的所述第二绝缘层的介电常数低于3。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述双镶嵌结构布线的所述最低层的所述第二绝缘层是多孔氧化硅。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述双镶嵌结构布线的所述最高层的所述第二绝缘层包含氟掺杂的氧化硅膜。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述双镶嵌结构布线的各层具有在所述第二绝缘层上形成的第四绝缘层，所述第四绝缘层具有比所述第二绝缘层的介电常数高的介电常数，所述第二布线在所述第四绝缘层中形成。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第四绝缘层包含碳化硅层。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述双镶嵌结构布线的所述最低层的所述第二绝缘层的介电常数低于3。

9.一种半导体器件，包括：

在半导体衬底之上形成的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层之上形成的第二绝缘层，具有低于3.0的低介电常数；

第一双镶嵌结构布线结构，包括第一铜材料布线和在所述第一布线上形成的第二铜材料布线，所述第一布线在所述第一绝缘层中形成，所述第二布线在所述第二绝缘层中形成；

在所述第二绝缘层之上形成的第三绝缘层；

在所述第三绝缘层之上形成的第四绝缘层；

第二双镶嵌结构布线结构，包括第三铜材料布线和在所述第三布线上形成的第四铜材料布线，所述第三布线在所述第三绝缘层中形成，所述第四布线在所述第四绝缘层中形成；

在所述第二双镶嵌结构布线结构之上形成的焊盘部；

在所述第四绝缘层上形成的第一聚酰亚胺层，具有使所述焊盘部暴露的第一开口；

重新布线层，电连接到所述焊盘部并从所述第一聚酰亚胺层之上的所述焊盘部延伸；

第二聚酰亚胺层，在所述重新布线层上形成并具有使所述重新布线层暴露的第二开口；

在所述第二开口中形成的下凸点金属层；以及

在所述下凸点金属层上形成的焊接凸点；

其中，所述第四绝缘层具有比所述第二绝缘层的介电常数大的介电常数。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第四绝缘层包含氟掺杂的氧化硅层。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述第二绝缘层是多孔氧化硅。