[发明专利]非接触式光写入装置无效

专利信息
申请号: 200710194606.3 申请日: 2007-11-27
公开(公告)号: CN101190611A 公开(公告)日: 2008-06-04
发明(设计)人: 村上和则;大高善光;田村敏行;日吉隆之;持田裕彦;安井祐治 申请(专利权)人: 东芝泰格有限公司
主分类号: B41J2/475 分类号: B41J2/475;G02B27/10;H01S5/00;G02B26/10
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 沙捷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 接触 写入 装置
【权利要求书】:

1.一种非接触式光写入装置,其特征在于,包括:

输出第一半导体激光束的第一半导体激光器;

集光所述第一半导体激光束的第一集光透镜;

输出第二半导体激光束的第二半导体激光器;

集光所述第二半导体激光束的第二集光透镜;

合成由所述第一集光透镜集光的所述第一半导体激光束和由所述第二集光透镜集光的所述第二半导体激光束并将其输出的激光束合成元件;以及

偏向扫描机构,其用于在热敏记录介质面上扫描从所述激光束合成元件发出的所述合成半导体激光束,其中所述热敏记录介质面在被加热至比常温高的发色温度时发色,并且在常温下保持发色状态且被加热至比所述发色温度低的消色温度时消色,

所述第一半导体激光器具有输出所述第一半导体激光束的活性层的接合面,

所述第二半导体激光器具有输出所述第二半导体激光束的活性层的接合面,

所述第一半导体激光器的所述接合面的方向以及所述第二半导体激光器的所述接合面的方向相对于所述偏向扫描机构对所述合成半导体激光束的扫描方向垂直或平行,

所述第一半导体激光器具有能够将所述热敏记录介质加热至所述消色温度以下的温度的输出功率或者通过对所述热敏记录介质进行照射而能够将所述热敏记录介质加热至所述消色温度的输出功率两者中的任一个,

所述第二半导体激光器具有通过对所述热敏记录介质进行照射而能够将所述热敏记录介质加热至所述消色温度的输出功率或者能够将所述热敏记录介质加热至所述消色温度以下的温度的输出功率两者中的任一个,

具有通过合成所述第一半导体激光束与所述第二半导体激光束并对所述热敏记录介质进行照射从而能够将所述热敏记录介质加热至所述发色温度的输出功率。

2.如权利要求1所述的非接触式光写入装置,其特征在于:

所述激光束合成元件具有透过或者反射从所述第一半导体激光器发出的所述第一半导体激光束以及从所述第二半导体激光器发出的所述第二半导体激光束,并且合成所述第一半导体激光束与所述第二半导体激光束且将其输出的偏振光分光器。

3.如权利要求2所述的非接触式光写入装置,其特征在于:

所述第一半导体激光器是单模式半导体,

所述第二半导体激光器是多模式半导体,

所述偏振光分光器透过或者反射从所述第一半导体激光器发出的所述第一半导体激光束以及从所述第二半导体激光器发出的所述第二半导体激光束,相对于所述偏向扫描机构的扫描方向,在所述第二半导体激光束的横长形状射束轮廓或者纵长形状射束轮廓内重叠合成所述第一半导体激光束的射束轮廓。

4.如权利要求1所述的非接触式光写入装置,其特征在于:

所述第一半导体激光器是单模式半导体,

所述第二半导体激光器是多模式半导体,

所述第一半导体激光器以使所述接合面的方向与被所述偏向扫描机构扫描的所述合成半导体激光束的扫描方向垂直的方式而设,

所述第二半导体激光器以使所述接合面的方向与被所述偏向扫描机构扫描的所述合成半导体激光束的扫描方向平行的方式而设,

所述偏振光分光器反射所述第一半导体激光束,并使所述第二半导体激光束透过,由此相对于所述偏向扫描机构的扫描方向,在所述第二半导体激光束的横长形状射束轮廓内重叠合成所述第一半导体激光束的射束轮廓,

所述偏向扫描机构沿着与所述第二半导体激光束的偏光方向相同的方向扫描从所述偏振光分光器发出的所述合成半导体激光束。

5.如权利要求1所述的非接触式光写入装置,其特征在于:

还包括射束点位置可变机构,其能够改变通过所述扫描透镜集光在所述热敏记录介质上的所述横长形状射束轮廓内的所述第一半导体激光束的射束轮廓的合成位置。

6.如权利要求1所述的非接触式光写入装置,其特征在于:

所述偏向扫描机构通过所述扫描透镜在所述热敏记录介质的一面上扫描所述合成半导体激光束,首先在所述热敏记录介质面上单独照射所述合成半导体激光束中所包含的所述第一半导体激光束,接着重合所述合成半导体激光束中所包含的所述第一与所述第二半导体激光束并进行照射,然后结束所述第一半导体激光束的照射,接着结束所述第二半导体激光束的照射。

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