[发明专利]聚焦环和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种环状的聚焦环，被配置在下部电极上且将所述被处理基板的周围围住，下部电极载置用来收容被处理基板以实施规定的等离子体处理的处理室内的所述被处理基板，其特征在于，

具备由介电物质构成的的下侧构件，和配置在该下侧构件的上部、由导电性材料构成上侧构件，

所述上侧构件相对于高频电力连接到接地电位上，

其构成为：所述上侧构件，相对于高频电力，通过由把绝缘层被覆在表面上的导电性构件构成的高频接地用构件，连接到接地电位上，

所述高频接地用构件，通过所述绝缘层防止直流电流流动。

2.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于：在所述下部电极与所述高频接地用构件之间配置有绝缘性构件。

3.根据权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于：在所述上侧构件的外周一侧，配置有环状的绝缘性构件。

4.根据权利要求1或2中的任一项所述的聚焦环，其特征在于：

在所述上侧构件与所述下侧构件之间设置规定间隔。

5.根据权利要求4所述的聚焦环，其特征在于：所述上侧构件与所述下侧构件之间的规定间隔作成为大体上是0.5mm。

6.根据权利要求5所述的聚焦环，其特征在于：所述上侧构件与所述下侧构件设置规定间隔，使相向的部位的径向方向的长度作成为5～10mm。

7.根据权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于：把所述上侧构件配置为使得所述上侧构件的下端，比所述被处理基板的上表面高1.5～2.5mm。

8.根据权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于：其构成为使得所述上侧构件的温度在等离子体处理中变成为大于等于250℃。

9.根据权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于：其构成为使得所述下侧构件的温度在等离子体处理中变成为小于等于100℃。

10.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：

用来收容被处理基板以实施规定的等离子体处理的处理室；

设置在所述处理室内，载置所述被处理基板的下部电极；

为配置在所述下部电极上且将所述被处理基板的周围围住的环状构件的、由介电物质构成的下侧构件；

为配置在所述下侧构件的上部由导电性材料构成的环状的构件的、相对于所述高频电力连接到接地电位上的上侧构件。

11.一种等离子体处理装置，在可减压的处理室内相向地配置上部电极和下部电极，借助于高频电力的供给在所述上部电极与下部电极之间产生等离子体，对所述下部电极上的被处理基板进行等离子体处理，其特征在于：

配置在所述下部电极上的被处理基板的周围的聚焦环具有：

由介电物质构成的下侧构件，和配置在该下侧构件的上的由导电性材料构成的上侧构件，

所述下侧构件被配置为设置不与所述被处理基板背面和所述下部电极产生异常放电的规定间隔，

所述上侧构件的构成为使得与所述被处理基板之间产生电场那样地靠近并把该被处理基板围住，

而且，把从所述下部电极供给来的高频与所述上侧构件耦合。

12.根据权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述下侧构件被配置为从所述被处理基板的端面更往内侧方向进入，并隐藏在被处理基板中。

13.根据权利要求10所述的聚焦环，其特征在于：

其构成为：所述上侧构件，相对于高频电力，通过由把绝缘层被覆在表面上的导电性构件构成的高频接地用构件，连接到接地电位上，

所述高频接地用构件，通过所述绝缘层防止直流电流流动。

14.根据权利要求10或13所述的聚焦环，其特征在于：在所述下部电极与所述高频接地用构件之间配置有绝缘性构件。

15.根据权利要求10或13所述的聚焦环，其特征在于：在所述上侧构件的外周一侧，配置有环状的绝缘性构件。

16.根据权利要求10或13所述的聚焦环，其特征在于：

在所述上侧构件与所述下侧构件之间设置规定间隔。

17.根据权利要求16所述的聚焦环，其特征在于：所述上侧构件与所述下侧构件之间的规定间隔作成为大体上是0.5mm。