[发明专利]声波器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及声波器件和该声波器件的制造方法，更具体地讲，本发明涉及一种声波器件和该声波器件的制造方法，所述声波器件具有密封部，该密封部在声波元件的功能区域上方具有中空区域。

背景技术

声波器件被广泛地用作利用电磁波的电学器件和电子器件的信号滤波器。声波器件被用作无线通信器件(例如，移动电话)的发送和接收滤波器或者诸如电视或磁带录像机的视觉用频率滤波器。在声波器件中，用由树脂等制成的密封部来密封诸如声波元件的芯片。表面声波元件是声波器件中的一种类型，并且具有如下结构：在由LiNbO₃、LiTaO₃等制成的压电基板上设置有激发表面声波的电极，诸如梳状电极。因为表面声波在压电基板的表面上传播，所以必须在压电基板和电极上形成空间。因为没有在压电基板和电极上提供保护膜，所以为了增加信赖性必须将声波元件密封。

第9-232900号日本专利申请公报、第2002-261582号日本专利申请公报和第2003-37471号日本专利申请公报公开了这样一种技术，其中，为了降低声波器件的成本，在具有声波元件的基板上形成密封部，并且形成晶片级封装(WLP)。

将给出对在切断区域中没有第一密封部22和第二密封部24的根据第一传统实施方式的声波器件制造方法的描述。图1A至图2I示出了根据第一传统实施方式的声波器件制造方法。如图1A所示，在基板10上形成梳状电极12、连接到梳状电极12的配线14、(用于使晶片个体化的)切断区域42中的金属图案18。在基板10、梳状电极12和配线14上形成保护膜20。去除保护膜20的给定区域。在穿透区域44(要形成穿透电极的区域)中的配线14上形成阻挡层16。如图1B所示，形成第一密封部22，从而使功能区域40(声波振荡的区域)、切断区域42和穿透区域44(要形成穿透电极的区域)分别用作第一非覆盖部50、第二非覆盖部52和第三非覆盖部54(没有被密封树脂覆盖的部分)。

如图1C所示，将感光树脂膜粘附到第一密封部22上，从而形成第二密封部24。如图1D所示，利用掩模32向第二密封部24照射紫外(UV)线。如图1E所示，在显影之后，第二密封部24的照射了紫外(UV)线的区域被留下。从而形成第二非覆盖部52、第三非覆盖部54和空洞60。

如图2F所示，在第三非覆盖部54中形成穿透电极28。如图2G所示，在穿透电极28上形成焊球30。如图2H所示，刀片36沿着切断区域42切断基板10。如图2I所示，制造了根据第一传统实施方式的声波器件。

接下来，将给出对在切断区域42中形成第一密封部22和第二密封部24的根据第二传统实施方式的声波器件制造方法的描述。图3A至图4H示出了根据第二传统实施方式的声波器件制造方法。如图3A所示，形成第一密封部22，使从而功能区域40和穿透区域44分别用作第一非覆盖部50和第三非覆盖部54。与图1B中所示的第一传统实施方式不同，在切断区域42中留有第一密封部22。

如图3B所示，将感光膜粘附到第一密封部22上，从而形成第二密封部24。如图3C所示，利用掩模32向第二密封部24照射紫外(UV)线。如图3D所示，在显影之后，第二密封部24的照射了紫外(UV)线的区域被留下。从而形成第三非覆盖部54和空洞60。与图1E中所示的第一传统实施方式不同，在切断区域42中留有第二密封部24。

如图4E所示，在第三非覆盖部54中形成穿透电极28。如图4F所示，在穿透电极28上形成焊球30。如图4G所示，刀片36沿着切断区域42切断基板10、第一密封部22和第二密封部24。如图4H所示，于是制造了根据第二传统实施方式的声波器件。

根据第一传统实施方式和第二传统实施方式，第一密封部22在功能区域40上方具有中空区域，第二密封部24覆盖该中空区域。因此，密封了声波元件。焊球30经由穿透电极28连接到声波元件。声波元件是利用焊球30安装的倒装芯片。因此，声波元件的电信号被输出到外部。