[发明专利]高亮度发光二极管结构无效
| 申请号： | 200710194779.5 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101452976A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 郑香平;杨昌义;吴厚润 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 结构 | ||
1.一种高亮度发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构至少包括：
n型基板(100)，其是由砷化镓所形成，且其底面形成欧姆n电极(150)；
分布式布拉格反射层(110)，其形成于所述n型基板(100)上；
磷化铝镓铟半导体叠层结构(120)，其形成于所述分布式布拉格反射层(110)上，用以回应电流的导通而产生光；
p型窗口层(130)，其是由磷化镓所形成，形成于所述磷化铝镓铟半导体叠层结构(120)上；
欧姆p电极(160)，形成于所述p型窗口层(130)上；
以及
高掺杂的岛状结构层(140)，所述岛状结构层(140)是由n型磷化铝铟所形成，其中磷化铝铟为Al0.5In0.5P，其形成于所述磷化铝镓铟半导体叠层结构(120)表面用以形成电流阻隔，被所述p型窗口层(130)所包覆，且所述岛状结构层(140)位于所述欧姆p电极(160)下方。
2.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管结构，其特征在于，所述岛状结构层(140)具有1016～1020cm-3的n型掺杂程度。
3.根据权利要求2所述的高亮度发光二极管结构，其特征在于，所述掺杂材料是选自硅(Si)及碲(Te)其中之一进行。
4.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管结构，其特征在于，所述岛状结构层(140)厚度在0.01～1μm之间。
5.根据权利要求1所述的高亮度发光二极管结构，其特征在于，所述岛状结构层(140)的边长长度为所述欧姆p电极(160)边长长度的1/2至3/2倍。
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