[发明专利]用于加热衬底的方法和装置无效
| 申请号： | 200710194935.8 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101207013A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·M·拉内什;布鲁斯·E·亚当斯;阿伦·M·亨特 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683;C23C16/46;C30B23/06;C30B25/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 加热 衬底 方法 装置 | ||
1.一种加热衬底的方法，包括：
将衬底放置在包括用液体部分填充的容器的衬底加热器的支架构件上；以及
使所述液体沸腾以在所述支架构件的底侧上产生冷凝物薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
控制所述容器内的压力。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述压力维持在常压。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括：
控制所述液体的沸点。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，控制所述压力的步骤进一步包括：
利用压力控制器控制所述容器内的压力。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括：
选择性打开或关闭所述容器内的压力阀。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
控制所述容器内设置的所述液体的能相。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加沸步骤进一步包括：
经由热源向所述液体提供热。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述热源包括电阻加热器、辐射接收器或加热灯的至少其中之一。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述液体包括所述液体包括水、汞、全氟碳油、芳香烃油、联苯基联苯氧化物油混合物，或银中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述容器包括铜、铝或陶瓷制品的至少其中之一。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑构件的底侧具有约0.1mm到约5mm之间的表面粗糙度。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支架构件的底侧是多孔的。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支架构件进一步包括具有变化热传导率的区域。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述具有变化热传导率的区域由所述支架构件的底表面的具有变化粗糙度的区域或具有变化多孔性的区域的至少其中之一限定。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述具有变化热传导率的区域由所述支架构件的具有变化的厚度分布的区域限定。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述具有变化热传导率的区域由包括支架构件的具有变化材料的区域限定。
18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，气体设置在所述容器内。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，所述气体是氦、氩、氖、氦、氙、氮、或空气中的至少一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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