[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体基板上形成栅极导电层、第一掩模层、第二掩模层以及第三掩模层，所述半导体基板包括单元区域和周围区域；

利用栅极掩模形成第二掩模图案和第三掩模图案；

修蚀所述周围区域中的第二掩模图案，以形成第四掩模图案，所述第四掩模图案的尺寸小于所述第二掩模图案的尺寸；

除去所述第三掩模图案；以及

利用所述第四掩模图案作为掩模，图案化所述第一掩模层和所述栅极导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一掩模层包括氮化物膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第二掩模层包括聚合物膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

所述聚合物膜包括酚醛清漆树脂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第三掩模层包括硅层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第二掩模层和所述第三掩模层通过旋涂方法形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

形成所述第三掩模图案的步骤是通过利用含有选自如下群组的气体的气体源进行干式蚀刻来执行的，所述群组包括：CHF₃、CF₄及其组合。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

形成所述第二掩模图案的步骤是通过利用含有选自如下群组的气体的气体源进行干式蚀刻来执行的，所述群组包括：O₂、N₂、H₂及其组合。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述修蚀步骤是通过利用含有选自如下群组的气体的气体源进行干式蚀刻来执行的，所述群组包括：O₂、N₂及其组合。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述修蚀步骤包括：

在所述第三掩模图案上将所述周围区域选择性地曝光，以形成第五掩模图案；

执行修蚀工序以减小所述第二掩模图案的尺寸；以及

除去所述第五掩模图案。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述第五掩模图案是I线光阻膜。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，

所述第五掩模图案具有约900至约1100的厚度，所述厚度从所述第三掩模图案的顶面到所述第五掩模图案的顶面。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，

图案化所述第一掩模层的步骤是通过利用含有选自如下群组的气体的气体源进行干式蚀刻来执行的，所述群组包括：CF₄、CHF₃及其组合。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述栅极导电层的材料选自如下群组，所述群组包括：多晶硅层、钨层、氮化钨膜及其组合。