[发明专利]有机发光二极管显示器件及其制造方法有效
申请号: | 200710195346.1 | 申请日: | 2007-12-13 |
公开(公告)号: | CN101202299A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 李在允;赵兴烈;金京满;李晙硕;金度亨;李文基;南宇镇;金廷炫 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L25/00;H01L25/18;H01L23/488;H01L21/60;H05B33/12;H05B33/10;G09F9/30 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示器件,包括:
在包含第一区域和第二区域的第一基板上的第一电极,第二区域基本上围绕第一区域;
在第二区域中的第一电极上的像素分离图案;
至少在第一区域中的有机发光图案;
在有机发光图案上的第二电极;
在像素分离图案上的接触电极,该接触电极与第二电极电连接;和
在面对第一基板的第二基板上的薄膜晶体管,该薄膜晶体管与接触电极电连接。
2.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,像素分离图案具有底切形状。
3.根据权利要求2所述的器件,其特征在于,进一步包括在第一电极与像素分离图案的底切区域相对应的部分上的辅助电极。
4.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,进一步包括在第一基板与第一电极之间的辅助电极。
5.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,第二区域具有围绕第一区域边缘的框架形状。
6.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,像素分离图案由有机材料、无机材料及其叠层中的一个形成。
7.根据权利要求1所述的器件,其特征在于,进一步包括:
在第二基板上的钝化层,该钝化层覆盖薄膜晶体管;和
在钝化层上的涂层。
8.根据权利要求7所述的器件,其特征在于,进一步包括在涂层上的第一接触元件,第一接触元件与薄膜晶体管电连接并与所述接触电极接触,从而将薄膜晶体管与第二电极电连接。
9.根据权利要求8所述的器件,其特征在于,进一步包括钝化层上的第二接触元件,第二接触元件与薄膜晶体管的漏极和第一接触元件电连接。
10.根据权利要求8所述的器件,其特征在于,第一接触元件具有对应于至少第二区域的形状。
11.根据权利要求7所述的器件,其特征在于,进一步包括在接触电极与第一接触元件之间的导电弹性元件。
12.一种有机发光二极管显示器件的制造方法,该方法包括:
在包含第一区域和第二区域的第一基板上形成第一电极,第二区域基本上围绕第一区域;
在第二区域中的第一电极上形成像素分离图案;
在至少第一区域中形成有机发光图案;
在有机发光图案上形成第二电极,在像素分离图案上形成接触电极,其中接触电极与第二电极电连接;
提供包含薄膜晶体管的第二基板;和
将第一基板与第二基板粘接,将接触电极与薄膜晶体管电连接。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述形成像素分离图案的步骤包括:
在第二区域中的第一电极上形成导电图案;
在导电图案上形成绝缘层;
在绝缘层上形成光刻胶图案,该光刻胶图案暴露至少导电图案的中部;
使用光刻胶图案作为掩模蚀刻绝缘层,从而形成绝缘图案;和
使用绝缘图案作为掩模蚀刻导电图案,从而形成像素分离图案。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,进一步包括通过在导电图案的蚀刻过程中将一部分导电图案留在第一电极上而形成辅助电极。
15.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述形成像素分离图案的步骤包括:
在第一电极上形成牺牲图案;
在牺牲图案上形成绝缘层,该绝缘层具有与牺牲图案不同的蚀刻选择性;
在绝缘层上形成光刻胶图案,该光刻胶图案暴露至少牺牲图案的中部;
使用光刻胶图案作为掩模蚀刻绝缘层,从而形成绝缘图案;和
使用绝缘图案作为掩模蚀刻牺牲图案,从而形成像素分离图案。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,进一步包括在第二基板与第一电极之间形成第三电极。
17.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,进一步包括:
在第二基板上形成钝化层,该钝化层覆盖薄膜晶体管;和
在钝化层上形成涂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的