[发明专利]具有通孔的半导体元件无效

专利信息
申请号: 200710195382.8 申请日: 2007-12-17
公开(公告)号: CN101207096A 公开(公告)日: 2008-06-25
发明(设计)人: 海因茨·霍尼格施米德;阿卡尔古德·西塔尔安 申请(专利权)人: 奇梦达股份公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L25/00;H01L25/18;H01L25/065
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;尚志峰
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 具有 半导体 元件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

半导体基板,具有上表面和与所述上表面相对的下表面;

集成电路,形成在所述半导体基板的所述上表面;

多个有效通孔,每个所述有效通孔电连接到所述集成电路,并从所述半导体基板的所述上表面延伸到所述下表面;以及

多个其它通孔,所述其它通孔中的每一个从所述半导体基板的所述上表面延伸至所述下表面,并与所述半导体基板中的任一集成电路电绝缘。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述集成电路包括存储电路。

3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述集成电路包括至少一个动态随机存取存储单元阵列。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个有效通孔和所述多个其它通孔以标准所确定的方式布置。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述多个有效通孔和所述多个其它通孔以由标准设置组织发布的标准所确定的方式布置。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个有效通孔位于所述半导体基板的中心区。

7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述多个其它通孔交错设置在所述有效通孔中的一些之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个有效通孔和所述多个其它通孔位于所述半导体基板的相邻区中。

9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,所述多个有效通孔和所述多个其它通孔位于所述半导体基板的一角。

10.一种半导体元件,包括:第一器件类型的第一半导体芯片,所述第一半导体芯片包括具有多个有效通孔的第一控制区和具有多个其它通孔的第二控制区,所述有效通孔电连接到所述第一半导体芯片的集成电路,以及所述其它通孔与所述第一半导体芯片的任一集成电路电绝缘,所述有效通孔和所述其它通孔都从所述第一半导体芯片的上表面延伸至下表面;以及

第二器件类型的第二半导体芯片,与所述第一半导体芯片相邻,所述第二器件类型不同于所述第一器件类型,所述第二半导体芯片包括具有多个有效通孔的第一控制区和具有多个其它通孔的第二控制区,所述有效通孔电连接到所述第二半导体芯片的集成电路,以及所述其它通孔与所述第二半导体芯片的任一集成电路电绝缘,所述有效通孔和所述其它通孔都从所述第二半导体芯片的上表面延伸至下表面,

其中,所述第一半导体芯片的所述有效通孔中的一些电连接到所述第二半导体芯片的其它通孔中的一些,以及所述第二半导体芯片的所述有效通孔中的一些电连接到所述第一半导体芯片的所述其它通孔中的一些。

11.根据权利要求10所述的半导体元件,还包括:

第三器件类型的第三半导体芯片,与所述第一半导体芯片相邻设置,所述第三器件类型不同于所述第一器件类型和所述第二器件类型,所述第三半导体芯片包括具有多个有效通孔的第一控制区和具有多个其它通孔的第二控制区,所述有效通孔电连接到所述第三半导体芯片的集成电路,以及所述其它通孔与所述第三半导体芯片的任一集成电路电绝缘,所述有效通孔和所述其它通孔都从所述第三半导体芯片的上表面延伸至下表面;

其中,所述第三半导体芯片的所述有效通孔中的一些电连接到所述第一半导体芯片的所述其它通孔中的一些和所述第二半导体芯片的所述其它通孔中的一些。

12.根据权利要求11所述的半导体元件,其中,所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、以及所述第三半导体芯片都包括存储芯片。

13.根据权利要求10所述的半导体元件,其中,所述第一器件类型是从包括DRAM、闪存、SRAM和MRAM的组中选取的存储器,以及,所述第二器件类型是从包括DRAM、闪存、SRAM和MRAM的组中选取的存储器。

14.根据权利要求10所述的半导体元件,还包括:所述第一器件类型的第三半导体芯片安装至所述第一半导体芯片的上表面或下表面。

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