[发明专利]制造沟槽MOSFET的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上表面上形成硬掩模；

在所述硬掩模中形成开口以暴露所述半导体衬底的一部分；

通过利用所述硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；

在所述沟槽内壁上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上和所述硬掩模的至少一部分上形成导电膜，所述导电膜填充所述沟槽；

通过蚀刻所述导电膜在所述沟槽中形成图案化的导电膜；

除去所述硬掩模；和

通过抛光所述图案化的导电膜直到所述图案化导电膜的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平，而形成栅电极。

2.权利要求1的方法，其中所述栅电极具有与所述沟槽深度基本相同的厚度。

3.权利要求1的方法，其中形成所述栅极绝缘膜包括热处理所述半导体衬底。

4.权利要求1的方法，其中所述硬掩模和所述栅极绝缘膜包含氧化物膜。

5.权利要求1的方法，其中在所述沟槽中形成所述图案化导电膜包括形成上表面低于所述硬掩模的上表面的图案化导电膜。

6.权利要求1的方法，其中所述导电膜包含多晶硅。

7.权利要求1的方法，其中在所述沟槽中形成所述图案化导电膜包括利用所述硬掩模作为终点检测膜，并在检测到所述硬掩模之后进行过蚀刻操作。

8.权利要求1的方法，其中除去所述硬掩模包括通过利用蚀刻剂蚀刻所述硬掩模，所述蚀刻剂的蚀刻选择性比用于蚀刻所述导电膜的蚀刻剂的蚀刻选择性高。

9.权利要求1的方法，还包括在与所述栅电极两侧相邻的所述半导体衬底上形成源极区域和漏极区域。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底的上表面上形成硬掩模；    

在所述硬掩模中形成开口以暴露所述半导体衬底的一部分；

通过利用所述硬掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；

在所述沟槽内壁上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上和所述硬掩模的至少一部分上形成导电膜，所述导电膜填充所述沟槽；

通过蚀刻所述导电膜在所述沟槽中形成图案化的导电膜，所述图案化导电膜具有比所述硬掩模的上表面低的上表面；和

通过抛光所述硬掩模和所述图案化导电膜直到暴露出所述半导体衬底的上表面，从而在所述沟槽内形成栅电极。

11.权利要求10的方法，其中在所述沟槽中形成所述图案化导电膜包括过蚀刻所述导电膜。

12.权利要求10的方法，其中所述导电膜包含多晶硅。

13.权利要求10的方法，其中所述栅电极具有与所述沟槽深度基本相同的厚度。

14.权利要求10的方法，其中形成所述栅极绝缘膜包括热处理所述半导体衬底。

15.权利要求10的方法，其中所述硬掩模和所述栅极绝缘膜包含氧化物膜。