[发明专利]发光器件的封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200710195637.0 | 申请日： | 2007-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101452979A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 赵自皓;许伯聪 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁 挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾省台北县土*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光器件的封装结构，其特征在于，至少包括：
一封装基板；
至少一第一接合垫以及至少一第二接合垫，设于该封装基板的一表面上；
一发光器件芯片，设于该封装基板的该表面之上，其中该发光器件芯片的一表面上包括至少一第一电性电极垫以及至少一第二电性电极垫；以及
至少一第一电性接合凸块以及至少一第二电性接合凸块，该第一电性接合凸块与该第二电性接合凸块分别对应接合在该第一接合垫与该第二电性电极垫之间、以及该第二接合垫与该第一电性电极垫之间，其中该第一电性接合凸块与该第二电性接合凸块的材料选自于由多个热电材料所组成的一族群。
2.根据权利要求1所述的发光器件的封装结构，其中该些热电半导体材料选自于由碲、锑、铋、硒及其合金所组成的一族群。
3.根据权利要求1所述的发光器件的封装结构，其特征在于，该封装基板为一氧化铝基板、一氮化铝基板或一钻石镀膜基板。
4.根据权利要求1所述的发光器件的封装结构，其特征在于，该第一接合垫、该第二接合垫、该第一电性电极垫与该第二电性电极垫的材料为铜或银。
5.根据权利要求1所述的发光器件的封装结构，其特征在于，该第一电性接合凸块的电性为n型，且该第二电性接合凸块的电性为p型。
6.一种发光器件的封装结构的制造方法，其特征在于，至少包括：
提供一封装基板，其中该封装基板的一表面上设有至少一第一接合垫以及至少一第二接合垫；
形成至少一第一电性接合凸块与至少一第二电性接合凸块，该第一电性接合凸块与该第二电性接合凸块分别对应接合在该第一接合垫与该第二接合垫上，其中该第一电性接合凸块与该第二电性接合凸块的材料选自于由多个热电半导体材料所组成的一族群；
提供一发光器件芯片，其中该发光器件芯片的一表面上设有至少一第一电性电极垫以及至少一第二电性电极垫；以及
进行一芯片倒装焊接步骤，以使该第一电性电极垫与该第二电性电极垫分别接合在该第二电性接合凸块与该第一电性接合凸块上。
7.根据权利要求6所述的发光器件的封装结构的制造方法，其特征在于，该热电半导体材料选自于由碲、锑、铋、硒及其合金所组成的一族群。
8.根据权利要求6所述的发光器件的封装结构的制造方法，其特征在于，该封装基板为一氧化铝基板、一氮化铝基板或一钻石镀膜基板。
9.根据权利要求6所述的发光器件的封装结构的制造方法，其特征在于，该第一接合垫、该第二接合垫、该第一电性电极垫与该第二电性电极垫的材料为铜或银。
10.根据权利要求6所述的发光器件的封装结构的制造方法，其特征在于，该第一电性接合凸块的电性为n型，且该第二电性接合凸块的电性为p型。
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