[发明专利]晶粒重新配置的堆栈封装方法及其堆栈结构

权利要求书

1.一种晶粒重新配置的封装方法，其特征在于，包括：

提供多个晶粒，每一该晶粒具有一主动面且该主动面上配置有多个焊垫；

取放所述晶粒至一衬底上，每一该晶粒是以覆晶方式将该主动面与一配置于该衬底上的一粘着层连接；

形成一高分子材料层于该衬底及部份该晶粒上；

覆盖一模具装置至该高分子材料层上，以平坦化该高分子材料，使该高分子材料层充满于所述晶粒之间并包覆每一该晶粒；

脱离该模具装置，以曝露出该高分子材料层的一表面；

形成多个贯穿孔于该高分子材料层之中；

脱离该衬底，是将该高分子材料层与该衬底分离，以曝露出每一该晶粒的该主动面、每一该焊垫以及每一该贯穿孔，以形成一封装体；

形成多个导电柱，将一导电材料填充所述贯穿孔并使每一该导电柱的上下表面裸露于该封装体上下表面的两端且分别形成一第一导电端点及一第二导电端点；

形成多个图案化的金属线段，由每一该图案化的金属线段将每一该晶粒的该主动面的所述多个焊垫电性连接至所述多个导电柱的每一该第一导电端点；

形成一图案化的保护层，用以覆盖每一晶粒的该主动面上的所述多个焊垫及所述多个图案化的金属线段，并曝露出部份所述多个图案化的金属线段的向外延伸的一表面；

形成多个导电元件，将所述多个导电元件形成于已曝露的部份所述多个图案化的金属线段的向外延伸的该表面上；及

切割该封装体，以形成多个各自独立的完成封装的晶粒。

2.如权利要求1所述的晶粒重新配置的封装方法，其特征在于，其中所述多个贯穿孔以蚀刻的方式形成。

3.如权利要求1所述的晶粒重新配置的封装方法，其特征在于，其中所述多个导电柱以电镀的方式形成。

4.如权利要求1所述的晶粒重新配置的封装方法，其特征在于，其中形成所述多个图案化的金属线段的方式包括：

形成一金属层在所述多个晶粒的该主动面上的所述多个焊垫及所述多个第一导电端点上；

形成一具有图案化的光刻胶层在该金属层上；及

移除部份该金属层以形成所述多个图案化的金属线段，并电性连接所述多个焊垫及所述多个第一导电端点。