[发明专利]具有含粒间交换增强层的多层记录结构的垂直磁记录介质

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，包括：

衬底；

位于所述衬底上并具有离面易磁化轴的第一铁磁层，所述第一铁磁层包括用于降低粒间交换耦合的分离子；

位于所述第一铁磁层上并具有离面易磁化轴的第二铁磁层，所述第二铁磁层包括用于降低粒间交换耦合的分离子；以及

与所述第一和第二铁磁层中的至少一个接触的铁磁粒间交换增强层。

2.根据权利要求1所述的介质，其中，所述第二铁磁层直接位于所述第一铁磁层上并与之接触，其中，所述第一和第二铁磁层具有基本上不同的成分，并且其中所述粒间交换增强层是直接位于所述第二铁磁层上并与之接触的帽盖层。

3.根据权利要求2所述的介质，其中，所述第一铁磁层包括粒状多晶钴合金和Ta氧化物，所述第二铁磁层包括粒状多晶钴合金和Si氧化物。

4.根据权利要求3所述的介质，其中，所述帽盖层是包括铁磁Co合金的基本上无氧化物的层，所述铁磁Co合金包括Cr以及从B和Pt构成的集合中选出的元素。

5.根据权利要求1所述的介质，其中，所述粒间交换增强层是直接位于所述第一铁磁层上并与之接触的间层IL，所述第二铁磁层直接位于所述IL上并与之接触。

6.根据权利要求5所述的介质，其中，所述间层IL选自由Co和铁磁Co合金构成的集合。

7.根据权利要求6所述的介质，其中，所述间层IL是基本上仅由Co和Cr构成的铁磁合金。

8.根据权利要求6所述的介质，其中，所述间层IL是基本上没有氧化物的铁磁Co合金。

9.根据权利要求5所述的介质，其中，所述第一和第二铁磁层中的每者包括粒状多晶钴合金以及Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或多种的氧化物。

10.根据权利要求5所述的介质，其中，所述第一和第二铁磁层具有基本相同的成分。

11.根据权利要求5所述的介质，其中，所述第一铁磁层包括CoPtCr合金和Ta氧化物，所述第二铁磁层包括CoPtCr合金和Si氧化物。

12.根据权利要求5所述的介质，其中，所述第一和第二铁磁层具有基本相同的厚度。

13.根据权利要求5所述的介质，其中，所述第一和第二铁磁层中的每者是从Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt和Fe/Pd多层构成的集合中选出的多层。

14.根据权利要求1所述的介质，还包括位于所述衬底上的由导磁材料构成的衬层以及位于所述衬层和所述第一铁磁层之间的交换中断层以用于阻碍所述衬层和所述第一铁磁层之间的磁交换耦合。

15.一种垂直磁记录盘，包括：

具有基本平坦表面的衬底；

位于所述衬底表面上的由导磁材料构成的衬层；

位于所述衬层上的第一铁磁层，所述第一铁磁层具有离面易磁化轴，并且包括粒状多晶钴合金以及Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或多种的氧化物；

与所述第一铁磁层接触的铁磁间层IL，所述间层IL包括具有Co和Cr的无氧化物的铁磁合金；以及

与所述间层IL接触的第二铁磁层，所述第二铁磁层具有离面易磁化轴，并且包括粒状多晶钴合金以及Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或多种的氧化物。

16.根据权利要求15所述的盘，其中，所述间层IL合金包括从由B和Pt构成的集合中选出的元素。

17.根据权利要求15所述的盘，还包括位于所述衬层和所述第一铁磁层之间的交换中断层以用于阻碍所述衬层和所述第一铁磁层之间的磁交换耦合。

18.一种垂直磁记录系统，包括：

根据权利要求15所述的盘；

写头，用于磁化所述盘的记录层中的区域，所述记录层包括所述第一铁磁层、间层IL和第二铁磁层；以及

读头，用于探测所述磁化区域之间的转变。