[发明专利]光掩膜的检查装置和方法、制造方法和图案转录方法有效
申请号: | 200710196458.9 | 申请日: | 2007-12-05 |
公开(公告)号: | CN101196681A | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
发明(设计)人: | 吉田光一郎;平野照雅 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027;H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩膜 检查 装置 方法 制造 图案 转录 | ||
1.一种光掩膜的检查装置,其特征在于,具备:
保持作为被检体的光掩膜的掩膜保持部件;
发出规定波长的光束的光源;
照明光学系统,引导来自所述光源的光束,向由所述掩膜保持部件保持的光掩膜照射该光束;
物镜系统,入射被照射到所述光掩膜、并经过了该光掩膜的所述光束;
摄像部件,接收经过了所述物镜系统的光束,摄像所述光掩膜的像;
支持部件,分别支持所述照明光学系统、所述物镜系统和所述摄像部件;
移动操作部件,移动操作所述各个支持部件;和
控制部件,控制所述移动操作部件,
所述控制部件通过控制所述移动操作部件,在与由所述掩膜保持部件保持的光掩膜的主平面平行的面内,移动操作所述照明光学系统、所述物镜系统和所述摄像部件,在使它们的光轴一致的状态下,使位于规定位置,并且,在光轴方向上位置调整所述物镜系统和所述摄像部件的至少一个。
2.根据权利要求1所述的光掩膜的检查装置,其特征在于:
所述物镜系统和所述照明光学系统各自的数值孔径可变,
所述控制部件通过将所述物镜系统的数值孔径、或所述照明光学系统的数值孔径设为规定值,将所述照明光学系统的数值孔径与所述物镜系统的数值孔径之比控制为规定值。
3.根据权利要求1或2所述的光掩膜的检查装置,其特征在于:
具备运算部件,根据由所述摄像部件得到的图像,使用所述光掩膜的规定区域的透过光的光强度分布数据,来进行运算。
4.根据权利要求1或2所述的光掩膜的检查装置,其特征在于:
所述掩膜保持部件使所述光掩膜的主平面大致垂直,固定保持该光掩膜。
5.根据权利要求1或2所述的光掩膜的检查装置,其特征在于:
所述掩膜保持部件以使所述光掩膜的主平面与垂直成倾斜的角度、且与垂直成10度以内的角度,保持该光掩膜。
6.根据权利要求1或2所述的光掩膜的检查装置,其特征在于:
从所述光源发出的、经过了所述照明光学系统的光束至少包含g线、h线或i线之一,或者包含混合了其中的任意二个以上的光束。
7.根据权利要求1或2所述的光掩膜的检查装置,其特征在于:
所述照明光学系统,向所述光掩膜照射光束的范围比所述摄像部件的摄像视野宽。
8.根据权利要求1或2所述的光掩膜的检查装置,其特征在于:
所述照明光学系统具备视野光圈,经该视野光圈向所述光掩膜照射光束,并且,所述光掩膜上光量分布为5%以内的部分的直径比所述摄像部件的摄像视野的直径大30%以上。
9.根据权利要求1或2所述的光掩膜的检查装置,其特征在于:
具备角度调整机构,执行所述照明光学系统、或所述物镜系统和所述摄像部件至少之一的光轴的微调整。
10.根据权利要求1或2所述的光掩膜的检查装置,其特征在于:
所述物镜系统和所述照明光学系统具备使数值孔径可变的光圈机构。
11.一种光掩膜的检查方法,将在透明基板上形成具有规定图案的膜的光掩膜由掩膜保持部件保持,经照明光学系统向所述光掩膜照射来自发出规定波长光束的光源的光束,经物镜系统,由摄像部件接收经过了该光掩膜的所述光束,摄像所述光掩膜的像,根据得到的摄像图像,检查所述光掩膜,特征在于:
在与由所述掩膜保持部件保持的光掩膜的主平面平行的面内,移动操作所述照明光学系统、所述物镜系统和所述摄像部件,在使它们的光轴一致的状态下,位于规定位置,并且,位置调整所述物镜系统和所述摄像部件至少之一,以在光轴方向上为规定的相对位置,由所述摄像部件摄像所述光掩膜的像。
12.根据权利要求11所述的光掩膜的检查方法,其特征在于:
由所述摄像部件进行的所述光掩膜的像的摄像,通过事先把握使用所述光掩膜时适用的曝光条件,使用根据该曝光条件确定的分光特性、所述物镜系统的数值孔径、和所述照明光学系统的数值孔径与所述物镜系统的数值孔径之比来进行。
13.根据权利要求11或12所述的光掩膜的检查方法,其特征在于:
使所述光掩膜的主平面大致垂直,固定保持该光掩膜。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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