[发明专利]燃烧型废气处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及燃烧型废气处理装置，所述燃烧型废气处理装置用于通过燃烧处理包含例如硅烷气体(SiH₄)或卤素气体(NF₃、ClF₃、SF₆、CHF₃、C₂F₆、CF₄等)的有害且可燃烧废气，以使废气无害。

背景技术

半导体制造装置排出包含例如硅烷气体(SiH₄)或卤素气体(NF₃、ClF₃、SF₆、CHF₃、C₂F₆、CF₄)等有害且可燃烧废气的气体。这种废气不可被直接排放进入大气。这样，废气通常被引入处理装置中，在其中废气通过燃烧被氧化以使废气无害。一种广泛使用的这种类型处理方法是使用助燃气体在炉内形成火焰，在该炉内通过火焰燃烧废气，参见日本特许公开专利11-218317。

半导体工业和液晶工业中使用的燃烧型废气处理装置可能排出大量粉尘(主要为SiO₂)以及大量酸性气体作为废气燃烧处理的副产品。因此，需要定期维护工作以除去处理部分的粉尘，或需要诸如刮板的附加机构以定期刮去粘附或沉积在燃烧处理室圆柱形本体内表面上的粉尘。

粘附或沉积的粉尘主要由SiO₂(即，二氧化硅)组成。但除SiO₂外，粉尘可能其中混有有毒粉尘。粉尘具有多种直径，范围从0.1微米至数十微米。此外，粉尘可能以大块形态存在。因此，有必要确保去除粉尘维护的操作安全性，以使得不会导致因吸入粉尘而造成的健康损害。

在提供刮擦机构的情况下，元件数量增加。其结果是产品制造成本将增加，且需要定期更换刮擦机构，这样增加了运营成本。

由于燃烧处理室内燃烧气体的温度高达约1700℃，诸如氧化铝基玻璃陶瓷的耐热材料被用作环绕燃烧处理室的圆柱形本体。但是，燃烧处理室温度较高，且如果存在氟或氯气，圆柱形本体内表面将被腐蚀及破坏。因此，有必要定期更换圆柱形本体。昂贵圆柱形本体的这种更换产生费用并要求耗时的维护。

发明内容

鉴于上述缺点提出本发明。因此本发明的目的是提供燃烧型废气处理装置，所述燃烧型废气处理装置可使用低价材料用于环绕燃烧处理室的本体，可防止粉尘粘附在燃烧处理室内表面，可防止腐蚀性气体破坏燃烧处理室内表面，并且可减少耗时的维护及维护费用。

根据本发明的燃烧型废气处理装置包括用于对废气进行燃烧处理的燃烧处理部分、用于冷却在燃烧处理部分内已经被处理的废气的冷却部分、以及用于利用水清洗废气以除去燃烧处理所产生副产品的清洗部分。燃烧处理部分包括废气处理燃烧器、由金属制成且具有粗糙内表面的筒体、以及适用于在筒体内表面上形成水膜的水膜形成机构。废气的燃烧处理在筒体中进行。

如上所述，本发明提供燃烧型废气处理装置，包括具有粗糙内表面的金属本体，因此废气通过燃烧在本体中被处理。形成在本体内表面上的水膜提供阻水结构。因此，如不锈钢的低价材料可用于形成本体。此外，形成在本体内表面上的水膜可洗去粉尘，因此防止粉尘粘附于本体的内表面。此外，水膜可洗去腐蚀性气体，因此本体内表面不会被破坏。其结果是，如不锈钢的低价材料可用于形成本体，因此降低了本体本身的制造成本。此外，可减少耗时的维护以及维护费用。

附图说明

图1是显示根据本发明实施例的燃烧处理部分的剖视图；

图2是显示水膜形成机构的实例的剖视图；

图3是显示水膜形成机构的改进实例的剖视图；

图4是显示水膜形成机构的另一改进实例的剖视图；

图5是显示水膜形成机构的又一改进实例的剖视图；

图6是显示水膜形成机构的又一改进实例的剖视图；

图7A是显示水膜形成机构的又一改进实例的剖视图；

图7B是显示图7A所示水膜形成机构的正视图；

图8A是显示水膜形成机构的又一改进实例的俯视图；

图8B是显示图8A所示水膜形成机构的剖视图；

图9A是显示水膜形成机构的又一改进实例的俯视图；

图9B是显示图9A所示水膜形成机构的剖视图；

图9C是显示图9A所示水膜形成机构的正视图；

图10A是显示水膜形成机构的又一改进实例的剖视图；