[发明专利]粘附和剥离压敏粘合片的方法、所述片的粘附与剥离装置

说明书

发明领域

本发明涉及在半导体晶片上粘附和从半导体晶片剥离压敏粘合片的方法，以及压敏粘合片的粘附装置和压敏粘合片的剥离装置。更特别地，它涉及粘附和剥离具有热收缩性的压敏粘合片的技术。

背景技术

近年来，半导体晶片的直径已经增加至约300mm的大小。相反地，其厚度逐渐减小到100μm或更小。大且薄的半导体晶片非常容易破裂。因此，在对晶片的后侧进行研磨加工前，用于表面保护和加强的压敏粘合片被粘附在晶片表面以支撑晶片，在进行后侧研磨后，压敏粘合片从晶片被剥离并被收集。

粘附在晶片表面上的压敏粘合片通常在其内包括能量束(即紫外线)可固化压敏粘合剂层。压敏粘合片被粘附在晶片上，并且暂时地固定其上。得到的晶片随后经受抛光处理，接着用能量束辐照以固化所述压敏粘合剂层。这样，粘性已经减小的压敏粘合片从晶片被剥离。但是，经过能量束辐照后粘度已经减小的压敏粘合片在空气压力下仍然粘在晶片表面上。这就使得接下来将压敏粘合片从晶片上剥离的操作非常必要。在压敏粘合片上再粘附一个剥离层。接着，压敏粘合片就和剥离层整体地从晶片上被卷起。在这样的剥离操作中，不利的是过多的力作用于晶片上，以致晶片的末端破碎或晶片破裂。

在这样的情形下，已经发展了一些技术，各自使用其层结构中包括能量束固化的压敏粘合剂层和可热收缩膜的压敏粘合片(如JP-A-2003-261842，JP-A-2000-129227，JP-A-2001-72327和JP-A-2001-7179)。根据这些技术，使用能量束辐照晶片以固化压敏粘合剂层。接着，晶片被加热以收缩可热收缩的膜。得到的压敏粘合片的变形使得压敏粘合片可从晶片上剥离。

但是，在使用压敏粘合片的常规技术中，因为可热收缩膜的收缩从多个方向上发生，就产生了这样的问题：加热后在晶片表面上压敏粘合片的各部分彼此重叠，从而剥离反而变得更困难。此外，通常地，甚至对于市场可买到的产品如单轴可收缩的膜，由于生产时的残余应力或由于制造过程中施加于压敏粘合片的应力热变形或其它类似原因，二次收缩也不利地在不同轴向上发生。特别是当压敏粘合片粘附在较大的半导体晶片上时，二次收缩也增加，这限制了主收缩轴方向上的收缩，从而压敏粘合片趋于更难剥离。因此，在剥离后，部分压敏粘合片粘附于晶片并且保持在其上；半导体晶片由于收缩产生的不均匀压力而破碎；固化的压敏剂从压敏粘合片上脱落从而污染晶片；或产生其它问题。

发明内容

考虑到这些情形，就产生了本发明。因此本发明的目的在于提供一种粘附和剥离压敏粘合片的方法，可通过加热容易地将粘附在半导体晶片上的压敏粘合片剥离；以及压敏粘合片的粘附装置和压敏粘合片的剥离装置。

附图说明

图1表示根据本发明的实施方式1粘附和剥离压敏粘合片的方法的步骤顺序流程图。

图2表示用于实施方式1的压敏粘合片的横截面图。

图3表示半导体晶片W与将被粘附于其表面上的压敏粘合片之间的位置关系图。

图4表示用于实施方式1的粘附工艺的压敏粘合片的粘附装置的构造的透视图。

图5表示根据实施方式1的压敏粘合片的粘附装置的操作说明图。

图6表示根据实施方式1的压敏粘合片的粘附装置的操作说明图。

图7表示根据实施方式1的压敏粘合片的粘附装置的操作说明图。

图8表示根据实施方式1的压敏粘合片的粘附装置的操作说明图。

图9表示实施方式1的能量束辐照过程的说明图。

图10A-10D表示实施方式1的剥离过程图。

图11A-11D表示实施方式2的剥离过程的构造简图。

图12A-12E表示实施方式3的剥离过程的构造简图。

图13A-13D表示实施方式4的粘合片收集的构造简图。

图14E-14H表示实施方式4的粘合片收集的构造简图。

附图标记

W    半导体晶片

S    压敏粘合片

S’  压敏粘合片的管状主体

1    可热收缩材料

2    限制层

3    压敏粘合剂层

具体实施方式

为实现这样的目的，本发明提供了如下(1)-(8)。

(1)一种粘附和剥离压敏粘合片的方法，包括：

在半导体晶片上粘附压敏粘合片，该压敏粘合片包括以此顺序层压的至少在单轴方向上具有热收缩性的可热收缩材料、具有抗所述可热收缩材料的收缩变形特性的限制层、以及能量束可固化的压敏粘合剂层；