[发明专利]处理碳纳米管的方法、碳纳米管以及碳纳米管元件无效
| 申请号： | 200710196650.8 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101450797A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;李勇明;张洪亮;刘云圻;曹灵超;李祥龙;魏大程;王钰;石大川 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C09C3/06;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 纳米 方法 以及 元件 | ||
1.一种处理碳纳米管的方法，包括：
使用三氧化硫气体在基本无氧的环境中在高温的处理温度下对碳纳米 管进行处理，其中，所述处理温度为385～475℃。
2.根据权利要求1的方法，其中，所述处理温度为400～450℃。
3.根据权利要求1的方法，其中，所述处理持续10分钟～2小时。
4.根据权利要求3的方法，其中，所述处理持续30分钟～1小时。
5.根据权利要求1的方法，包括将使用三氧化硫气体处理之后的碳纳 米管进行退火处理。
6.根据权利要求5的方法，其中，所述退火处理在800～1000℃温度下 进行。
7.根据权利要求5的方法，其中，所述退火处理进行10分钟～30分钟。
8.根据权利要求1的方法，其中，所述碳纳米管是单壁碳纳米管或双 壁碳纳米管。
9.根据权利要求1的方法，其中，使用惰性气体作为三氧化硫气体的 载气。
10.根据权利要求1的方法，其中，所述三氧化硫气体的分压为8％～30％。
11.一种使用权利要求1的方法处理的直径小于1nm的单壁碳纳米管。
12.一种碳纳米管元件，包括通过权利要求1的方法进行处理的直径小 于1nm的单壁碳纳米管。
13.根据权利要求12的碳纳米管元件，其中，所述碳纳米管元件包括 使用碳纳米管的导电膜、场发射电子源、晶体管、导线、电极材料、纳米电 子机械系统、纳米悬臂、量子计算装置、发光二极管、太阳能电池、表面导 电电子发射显示器、滤波器、给药装置、导热材料、纳米喷头、储能材料、 燃料电池、传感器或催化剂载体。
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