[发明专利]辐射传感器

权利要求书

1.一种制造辐射传感器的方法，该方法包括：

在一个晶片上形成多个热堆；

在另一晶片中形成多个用于热堆的封装件，各封装件包括形成的井，该井由窗口覆盖；

将这些晶片在受控气体或真空环境中接合，使得各热堆处于井中并处于封装件的窗口下面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：各封装件的井通过蚀刻晶片而形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：窗口包括与波长相关的滤光器。

4.一种制造辐射传感器的方法，该方法包括：

形成热堆；

形成用于热堆的封装件，该封装件包括形成于半导体材料中的井，该井由窗口覆盖；以及

在受控气体或真空环境中将封装件接合至热堆。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：井在硅基底中蚀刻出。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括：将晶片接合至热堆。

7.一种辐射传感器包括：

热堆；

用于热堆的封装件，该封装件包括在热堆上面的井和覆盖该井的窗口，该井形成于半导体材料中；以及

在井中的受控气体或真空。

8.根据权利要求7所述的传感器，其中：该半导体材料是硅。

9.根据权利要求7所述的传感器，其中：该封装件包括用于接触焊点的孔。

10.根据权利要求7所述的传感器，还包括在热堆上面的晶片。