[发明专利]有金属氧化物的多阶电阻随机存取存储结构及其制造方法

权利要求书

1.多阶单元(MLC)电阻随机存取存储结构，包括：

第一可编程电阻存储构件，其具有电阻Ra与厚度t1，所述电阻Ra与所述厚度t1成正相关，所述第一可编程电阻存储构件在第一位置具有第一金属氧化物长条，并在第二位置具有第二金属氧化物长条，其中所述第一位置与所述第二位置分离；

第二可编程电阻存储构件，其具有电阻Rb与厚度t2，所述电阻Rb与所述厚度t2成正相关，所述第二可编程电阻存储构件在第一位置具有第三金属氧化物长条，并在第二位置具有第四金属氧化物长条，其中所述第一位置与所述第二位置分离；

绝缘构件，其分隔所述第一可编程电阻存储构件与所述第二可编程电阻存储构件；

第一内连接，其垂直地连接所述第一可编程电阻存储构件的所述第一金属氧化物长条以及所述第二可编程电阻存储构件的所述第三金属氧化物长条；以及

第二内连接，垂直地连接所述第一可编程电阻存储构件的所述第二金属氧化物长条与所述第二可编程电阻存储构件的所述第四金属氧化物长条。

2.如权利要求1所述的结构，其中所述第一内连接包括第一金属衬底内连接；且所述第二内连接包括第二金属衬底内连接。

3.如权利要求2所述的结构，其中所述第一内连接包括第一金属氧化物内连接；且所述第二内连接包括第二金属氧化物内连接。

4.一种形成多阶单元(MLC)电阻随机存取存储结构的方法，包括：

沉积第一可编程电阻存储构件，其具有厚度t1，所述第一可编程电阻存储构件具有电阻Ra，所述电阻Ra与所述第一可编程电阻随机存取存储构件的厚度t1成正相关；

在所述第一可编程电阻存取构件上形成绝缘构件；

沉积第二可编程电阻存储构件，其具有厚度t2，所述第二可编程电阻存储构件具有电阻Rb，所述电阻Rb与所述第二可编程电阻存储构件的厚度t2成正相关；以及

将所述第一可编程电阻存储构件氧化，以在所述第一可编程电阻存储构件的第一位置形成第一金属氧化物长条，并在所述第一可编程电阻存储构件的第二位置形成第二金属氧化物长条；所述第一金属氧化物长条具有垂直厚度MLa以及水平厚度MLOXa。

5.如权利要求4所述的方法，还包括将所述第二可编程电阻存储构件氧化，以在所述第二可编程电阻存储构件的第一位置形成第三金属氧化物长条、并在所述第二可编程电阻存储构件的第二位置形成第四金属氧化物长条；所述第三金属氧化物长条具有垂直厚度MLb以及水平厚度MLOXb。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述电阻Ra为所述第一金属氧化物长条的垂直厚度MLa、与所述第一金属氧化物长条的水平厚度MLOXa的函数，以下列方程式表示：Ra＝MLOXa/MLa。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述电阻Rb为所述第三金属氧化物长条的垂直厚度MLb、与所述第三金属氧化物长条的水平厚度MLOXb的函数，以下列方程式表示：Rb＝MLOXb/MLb。

8.如权利要求4所述的方法，还包括形成第一内连接金属衬底，其在所述第一可编程电阻存储构件的所述第一金属氧化物长条与所述第二可编程电阻存储构件的所述第三金属氧化物长条之间形成电连接。

9.如权利要求8所述的方法，还包括形成第二内连接金属衬底，其在所述第一可编程电阻存储构件的所述第二金属氧化物长条与所述第二可编程电阻存储构件的所述第四金属氧化物长条之间形成电连接。

10.如权利要求9所述的方法，还包括输入电流进入所述第二可编程电阻存储构件、并在所述第二可编程电阻构件中的第一方向分成第一电流、在第二方向分成第二电流，所述第一方向与所述第二方向相反，

其中所述第一电流从所述第一方向流经所述第三金属氧化物长条、向下流经所述第二内连接金属衬底、经过所述第二金属氧化物长条、穿过所述第一可编程电阻构件，以及

其中所述第一与第二电流合并为输出电流。

11.如权利要求9所述的方法，还包括通过将所述电阻Ra与所述电阻Rb相加后除以2，而决定总电阻Rs，其以下列方程式表示：Rs＝(Ra+Rb)/2。