[发明专利]绝缘层上覆硅的制作方法及绝缘层上覆硅的结构无效
| 申请号： | 200710196836.3 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101459052A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲;李名言;蔡文立 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄 健 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 层上覆硅 制作方法 结构 | ||
1、一种绝缘层上覆硅的制作方法，该方法包括步骤：
于基材上形成多个沟槽；
于这些沟槽的内侧表面以及内底表面形成氧化层；
于该氧化层上形成氮化层；
移除各沟槽的内底表面的所述氮化层以及氧化层；
使用阳极处理使各沟槽下方的部分基材形成多孔硅层；
旋转涂布介电质填满该些沟槽，该介电质覆盖于所述多孔硅层上；以及
使用加热工艺使多孔硅层形成绝缘层。
2、如权利要求1所述的绝缘层上覆硅的制作方法，其中，移除氮化层的方法是非等向性蚀刻。
3、如权利要求1所述的绝缘层上覆硅的制作方法，其中，所述加热工艺是干式或湿式的含氧化性氧气氛的退火工艺，退火温度介于400-1200℃之间，操作压力可为常压、次常压或是低压。
4、一种绝缘层上覆硅的结构，该结构包含：
基底，该基底包含基材、多个凸部以及绝缘层，其中绝缘层位于所述基材与所述多个凸部之间；
多个沟槽，该些沟槽形成于各凸部与凸部之间；
氧化层，该氧化层位于各沟槽的内侧表面；
氮化层，该氮化层位于所述氧化层上；以及
介电质，该介电质填满各沟槽。
5、如权利要求4所述的绝缘层上覆硅的结构，其中所述基底还包含形成于各凸部顶端的垫氧化层以及形成于该垫氧化层上的垫氮化层。
6、如权利要求4所述的绝缘层上覆硅的结构，其中所述基材为硅基材。
7、如权利要求4所述的绝缘层上覆硅的结构，其中所述凸部与基材的材质相同，为硅。
8、如权利要求4所述的绝缘层上覆硅的结构，其中所述绝缘层为二氧化硅层。
9、如权利要求4所述的绝缘层上覆硅的结构，其中所述氮化层为氮化硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
