[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710197023.6 | 申请日： | 2004-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101174668A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 谢明勋;蔡嘉芬 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L51/50;H01L51/56;H01S5/00;H05B33/12;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体发光元件，至少包括：
一半导体发光叠层；
一萤光材料结构，位于该半导体发光叠层的一侧；及
一电接点，位于该萤光材料结构的一空缺中，并与该半导体发光叠层电接触。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包括：
一欧姆接触层，位于该半导体发光叠层的另一侧。
3.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包括：
一反射层，位于该半导体发光叠层的另一侧。
4.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包括：
一金属结构，位于该半导体发光叠层的另一侧。
5.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包括：
一基板，位于该半导体发光叠层的另一侧。
6.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包括：
一透明基板，位于该半导体发光叠层的另一侧。
7.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包括：
一基板，位于该半导体发光叠层的另一侧；及
一结合结构，位于该半导体发光叠层及该基板之间。
8.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，该荧光材料结构大体上符合该半导体发光叠层的形状。
9.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，该萤光材料结构覆盖该半导体发光叠层的一个表面的一部分。
10.一种半导体发光元件的制造方法，包括：
形成一半导体发光叠层于一基板；
形成一荧光材料结构于该半导体发光叠层上方；及
形成一电接点位于该萤光材料结构的一空缺中，并与该半导体发光叠层电接触。
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