[发明专利]相变存储器的写入系统与方法

权利要求书

1.一种相变存储器的写入系统，包括：

一第一相变存储单元与一第二相变存储单元；

一第一写入电路，执行一写入程序，接收一第一数据并写入至该第一相变存储单元；以及

一验证电路，执行一验证程序，包括：

一处理单元，读取并比较该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据；以及

一第二写入电路，当该第二相变存储单元存储的数据与一第二数据并不符合时，将该第二数据再次写入该第二相变存储单元。

2.如权利要求1所述的相变存储器的写入系统，其中该处理单元还包括：

一读取电路，用以读取该第二相变存储单元存储的数据；以及

一处理器，比较该第二相变存储单元存储的数据与该第二数据，并在该第二相变存储单元存储的数据与该第二数据不符合的情况下，输出一电流调整信号至该第一写入电路与该第二写入电路。

3.如权利要求2所述的相变存储器的写入系统，其中还包括：

一第一晶体管，具有一第一控制端、一第一输入端以及一第一输出端，其中该第一输入端耦接该第一写入电路，该第一输出端耦接该第一相变存储单元，该第一控制端受控于一第一控制信号；以及

一第二晶体管，具有一第二控制端、一第二输入端以及一第二输出端，其中该第二输入端耦接该读取电路，该第二输出端耦接该第二相变存储单元，该第二控制端受控于一第二控制信号。

4.如权利要求3所述的相变存储器的写入系统，其中该第二晶体管的宽长比小于该第一晶体管的宽长比。

5.如权利要求2所述的相变存储器的写入系统，其中该处理器还包括：

一检测及比较电路，比较该第二相变存储单元存储的数据与该第二数据，并输出一比较信号；

一电流调整控制电路，接收该比较信号并输出该电流调整信号。

6.如权利要求2所述的相变存储器的写入系统，其中该第一写入电路还包括一第一辅助写入电路，接收该电流调整信号用以调整该第一写入电路输出的写入电流大小。

7.如权利要求6所述的相变存储器的写入系统，其中该第一辅助写入电路包括一电流镜电路，根据一参考电流产生一辅助电流，且根据该电流调整信号输出该辅助电流至该第一写入电路。

8.如权利要求2所述的相变存储器的写入系统，其中该第二写入电路还包括一第二辅助写入电路，接收该电流调整信号用以调整该第二写入电路输出的写入电流大小。

9.如权利要求8所述的相变存储器的写入系统，其中该第二辅助写入电路包括一电流镜电路，根据一参考电流产生一辅助电流，且根据该电流调整信号输出该辅助电流至该第二写入电路。

10.如权利要求1所述的相变存储器的写入系统，其中该写入程序与该验证程序在同一时间周期内完成。

11.一种相变存储器的写入方法，利用一验证电路与一第一写入电路完成，包括：

在一第一周期内对一第一相变存储单元进行一写入程序；

在该第一周期内对一第二相变存储单元进行一验证程序；以及

若该第二相变存储单元验证失败，则该验证电路输出一电流调整信号至该第一写入电路，调整该第一写入电路输出的第一写入电流。

12.如权利要求11所述的相变存储器的写入方法，其中若该写入程序尚未完成且接收到该电流调整信号时，该第一写入电路根据该电流调整信号调整该第一写入电流，且对该第一相变存储单元重新进行该写入程序。

13.如权利要求11所述的相变存储器的写入方法，其中该验证电路还包括一第二写入电路，且当该第二相变存储单元验证失败时，该第二写入电路接收该电流调整信号调整由该第二写入电路输出的一第二写入电流，且对该第二相变存储单元重新进行该写入程序。

14.如权利要求11所述的相变存储器的写入方法，其中还包括：

在一第二周期对一第三相变存储单元进行该写入程序；以及

在该第二周期内对该第一相变存储单元进行该验证程序。