[发明专利]太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1、一种太阳能电池，包括：

基板，其具有第一透明导电层；

纳微米粗化结构形成于该第一透明导电层上；以及

半导体层形成于该纳微米粗化结构上，且包覆该纳微米粗化结构。

2、如权利要求1所述的太阳能电池，其中该纳米粗化结构为球状、柱状、颗粒状、纳米孔洞、纳米点、纳米线、不规则凹凸表面的结构体、周期性或非周期性的结构。

3、如权利要求1所述的太阳能电池，其中该纳微米粗化结构为多个纳微米颗粒。

4、如权利要求3所述的太阳能电池，其中所述纳微米颗粒的材料为二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。

5、如权利要求3所述的太阳能电池，其中所述纳微米结构颗粒的大小为50～1000纳米的单一或混合尺寸。

6、如权利要求4所述的太阳能电池，其中该半导体层为硅薄膜层或化合物半导体层，该硅薄膜层为非晶硅、微晶硅或堆叠型非晶硅/微晶硅，该化合物半导体层为铜铟镓硒或碲化镉。

7、如权利要求1所述的太阳能电池，其中该半导体层的平均厚度为75～2500纳米。

8、如权利要求1所述的太阳能电池，其中该基板为透明基板或玻璃基板。

9、如权利要求1所述的太阳能电池，其还包括一电极形成于该半导体层上，或者还包括第二透明导电层及一电极依序形成于该半导体层上。

10、如权利要求1所述的太阳能电池，其中该第一透明导电层为透明导电氧化物或铟锡氧化物。

11、如权利要求1所述的太阳能电池，其中该第一透明导电层为粗糙或平坦的表面结构。

12、如权利要求1所述的太阳能电池，其还包括p型半导体形成于该纳微米粗化结构及该第一透明导电层之间。

13、如权利要求12所述的太阳能电池，其中该半导体层为未掺杂的本征半导体层以及n型半导体层，依序形成于该纳微米粗化结构上。

14、如权利要求13所述的太阳能电池，其中该纳微米粗化结构的材料为硅基半导体、碳化硅、氮化硅或硅化锗。

15、如权利要求14所述的太阳能电池，其中该纳微米粗化结构为多个纳微米颗粒。

16、如权利要求1所述的太阳能电池其为一薄膜太阳能电池。

17、一种太阳能电池的制作方法，其步骤包括：

提供基板；

形成纳微米粗化结构于该基板上；以及

形成半导体层于该纳微米粗化结构上。

18、如权利要求17所述的方法，其还包括形成电极于该半导体层上。

19、如权利要求17所述的方法，其中形成该纳微米粗化结构于该基板上的该步骤，是以浸泡、喷涂、旋转涂布、自然干燥、堆叠、烧结、纳米压印、转印、热压成形方式附着该纳微米粗化结构于该第一透明导电层上。

20、如权利要求17所述的方法，其中形成该纳微米粗化结构于该基板上的该步骤为形成多个纳微米颗粒于该基板上。

21、如权利要求20所述的方法，其中该基板为具有第一透明导电层的透明基板。

22、如权利要求21所述的方法，其中所述纳微米颗粒的材料为二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。

23、如权利要求22所述的方法，其中该半导体层为半导体有源层。

24、如权利要求20所述的方法，其中该基板为具有第一透明导电层及p型半导体层的透明基板，该第一透明导电层及该p型半导体层依序形成在该透明基板上。

25、如权利要求24所述的方法，其中所述纳微米颗粒的材料为硅基半导体、碳化硅、氮化硅或硅化锗。

26、如权利要求25所述的方法，其中该半导体层为未掺杂的本征半导体层以及n型半导体层，依序形成于该纳微米粗化结构上。