[发明专利]内埋电子元件结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710198632.3 申请日: 2007-12-11
公开(公告)号: CN101183706A 公开(公告)日: 2008-05-21
发明(设计)人: 史哲坤 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L49/00 分类号: H01L49/00;H01L23/498;H01L21/60;H01L21/48;H05K1/16;H05K3/30
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电子元件 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种封装结构及其制造方法,特别涉及一种内埋电子元件结构及其制造方法。

背景技术

内埋电子元件结构为一种利用特殊介电及电阻材料或有机玻璃纤维基板将电子元件内嵌于基板内的叠层封装体(Multiple Stacked Package;MSP)。

为了能在有限的机板面积中创造出更大的空间以提升整体电子元件的功能,在实际应用上,依照模组的电路特性与需求,选用具有不同介电系数及不同电阻值的基板材料,将电容、电阻或高频传输线等主(被)动元件等电子元件内埋于基板中。借由缩短电路布局、减少表面粘着式电子元件的使用数量,并减少讯号传输距离来提升整体元件的工作性能。此种封装结构具有降低产品的制造与检测成本,减少元件的焊点数目,提高整体电子元件的电气高频响应、提升产品构装密度与可靠度等优点。

本发明的发明人在实践过程中发现,内嵌于基板内部的电子元件与封装结构之间的结合力不足,常会造成叠层结构脱层(Delamination)或断裂等问题,而使制造良率降低同时又垫高制造成本。

由此可见,上述现有的内埋电子元件结构及其制造方法在结构与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的内埋电子元件结构及其制造方法,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的内埋电子元件结构及其制造方法存在的缺陷,本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种新的内埋电子元件结构及其制造方法,能够改进一般现有的内埋电子元件结构及其制造方法,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于,克服现有的内埋电子元件结构及其制造方法存在的缺陷,而提供一种新的内埋电子元件结构及其制造方法,所要解决的技术问题是使其解决现有的内埋电子元件因电子元件与封装结构之间的结合力不足,而导致封装体脱层或断裂的问题,以达到提升良率与降低制造成本的目的,从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种内埋电子元件结构,包括:一下压合层;一第一夹制层,设置于该下压合层之上;一介电层,设置于该第一夹制层之上;一第二夹制层,位于该介电层之上;一电子元件,具有一上表面及一下表面,该电子元件埋设于该介电层之中,且该第一夹制层与该下表面接触,该第二夹制层与该上表面接触;一上压合层,覆盖于该第二夹制层之上;以及一连结栓,邻接于该电子元件并贯穿该介电层,且分别与该第一夹制层及该第二夹制层连结。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的内埋电子元件结构,其还包括:一第一导电层,形成于该介电层与该下压合层之间,且该第一导电层由该第一夹制层以及一第一导线层所构成,且该第一导线层与该第一夹制层相距有一距离;以及一第二导电层,形成于该介电层与该上压合层之间,且该第二导电层由该第二夹制层以及一第二导线层所构成,且该第二导线层与该第一夹制层相距有一距离。

前述的内埋电子元件结构,其中所述的其中相互连结的第一夹制层、该第二夹制层以及该连结栓是一ㄇ形结构。

前述的内埋电子元件结构,其中所述的连结栓固设于贯穿该介电层的一盲孔内,借以连接该第一夹制层及该第二夹制层。

前述的内埋电子元件结构,其中所述的盲孔与该电子元件相距有一距离。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种内埋电子元件结构的制造方法,其包括:提供一介电层,该介电层具有一上表面及一下表面;将一电子元件埋设于该介电层中;分别形成一第一夹制层及一第二夹制层于该介电层的该下表面及该介电层的该上表面;形成一盲孔贯穿该介电层,且邻接于该第一夹制层与该第二夹制层;以及填充该盲孔,以形成一连结栓,使该连结栓分别与该第一夹制层及该第二夹制层连结。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的内埋电子元件结构的制造方法,其中所述的第一夹制层及该第二夹制层的形成包括:进行一压合工艺将一第一导电层以及一第二导电层分别与该上表面及该下表面压合;以及图案化该第一导电层以及该第二导电层。

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