[发明专利]铁电膜、半导体装置、铁电膜的制造方法及其制造装置无效
| 申请号： | 200710198636.1 | 申请日： | 2004-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101215684A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;高桥一郎;山田敦彦;樱井弘之 | 申请（专利权）人： | 大见忠弘;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/314;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铁电膜 半导体 装置 制造 方法 及其 | ||
【权利要求书】：
1.一种铁电膜的制造装置，其中，
在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；
所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。
2.如权利要求1所述的铁电膜的制造装置，其中，
在所述目标物的周边部分安装有与所述目标物同样的构成材质的保护部件。
3.如权利要求1的铁电膜的制造装置，其中，
使用以Sr、Ta、Nb为主成分的铁电材料作为所述铁电膜的膜材料；
与所述目标物同样的构成材质是以Sr、Ta、Nb为主成分的材料。
4.一种铁电膜的制造装置，具有：
加热单元，用于将铁电膜加热到居里温度以上；和
施加电场单元，用于在变为居里温度以上的铁电膜降温，并且铁电膜的温度通过所述居里温度时，给该铁电膜施加预定方向的电场。
5.如权利要求4所述的铁电膜的制造装置，其中，
使用以Sr、Ta、Nb为主成分的铁电材料作为所述铁电膜的膜材料。
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