[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

其中形成多个光电二极管的半导体衬底；

形成于所述半导体衬底上的绝缘层；

形成于所述绝缘层上的滤色层；

在含有所述滤色层和具有以规则间距放置的多个凹入部分的生成物的整个表面上形成的平坦化层；以及

在平坦化层的每一凹入部分中形成并以规则间距放置的多个微透镜。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述滤色层由红色滤色层、绿色滤色层和蓝色滤色层组成。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，形成所述凹入部分以分别对应于红色滤色层、绿色滤色层和蓝色滤色层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，形成所述凹入部分以彼此具有基本上相同的尺寸。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述微透镜由所述凹入部分之间的平坦化层的突起彼此分离。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，通过涂覆光刻胶型的有机材料或沉积无机氧化物或氮化物形成所述平坦化层。

7.一种图像传感器的制造方法，该方法包括：

在所述半导体衬底中形成多个光电二极管；

在所述半导体衬底上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成滤色层；

在含有所述滤色层的生成物的整个表面上形成平坦化层；

在所述平坦化层的整个表面涂覆并构图光刻胶，产生光刻胶图案；

使用所述光刻胶图案作为掩模根据预定厚度移除所述平坦化层，产生多个以规则间距放置的凹入部分；

移除所述光刻胶图案；以及

在多个凹入部分形成微透镜，产生以规则间距放置的微透镜。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过涂覆光刻胶型的有机材料或沉积无机氧化物或氮化物形成所述平坦化层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述平坦化层中的所述凹入部分的形成中执行灰化工艺。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述滤色层由红色滤色层、绿色滤色层和蓝色滤色层组成。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成的所述光刻胶图案在所述红色滤色层、所述绿色滤色层以及所述蓝色滤色层之间的边界部分具有预定宽度。

12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述多个凹入部分的同时移除所述光刻胶图案。

13.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述凹入部分分别对应于红色滤色层、绿色滤色层和蓝色滤色层。

14.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成的凹入部分彼此具有基本上相同的尺寸。