[发明专利]移位寄存器及预充电电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种移位寄存器及其预充电电路；尤其涉及一种具有更稳定的预充电电位的移位寄存器及其预充电电路。

背景技术

请参考图1。图1为现有技术以N型金氧半(metal-oxide-semiconductor；MOS)晶体管工艺的移位寄存器的示意图。如图所示，移位寄存器100包含输入端I、节点Z、节点N、输出端O、预充电电路110、致能控制器120及三个开关Q_N2、Q_N3、Q_N4移位寄存器100的输入端I用以接收前一级移位寄存器的驱动信号，输出端0则用以输出移位寄存器100的驱动信号。致能控制器120包含开关Q_N10及反相器INV₁。开关Q_N10的第一端耦接于输入端I，其控制端用以接收频率信号CLK，开关Q_N10用以根据频率信号CLK将其第一端耦接于其第二端。反相器INV₁的输入端耦接于开关Q_N10的第二端，其输出端耦接于节点N，用以将输入端I上所接收的信号反向后输出至节点N。预充电电路110包含开关Q_N1。开关Q_N1的控制端耦接于输入端I，其第一端耦接于输入端I，其第二端则耦接于节点Z，用以将输入端I上的信号传送至节点Z以对节点Z预充电。开关Q_N2的控制端耦接于节点N，其第一端耦接于节点Z，其第二端则耦接于输出端O。开关Q_N3的控制端耦接于节点Z，其第一端用以接收频率信号XCK，其第二端则耦接于输出端O。频率信号XCK于高准位时电压为7.5伏特(在此设定高准位电压为V_DD)，于低准位时电压为0伏特。上述高准位电压与低准位电压可依照使用者需求予以设定。在此以高准位电压为7.5伏特与低准位电压为0伏特为范例。开关Q_N4包含控制端耦接于节点N，其第一端耦接于电压源V_SS(在此设定电压V_SS为0伏特)，其第二端则耦接于输出端O。另外，由于移位寄存器100采用N型金氧半晶体管工艺，因此开关Q_N1～Q_N4、Q_N10皆为N型金氧半晶体管。另外，频率信号CLK与XCK互为反相信号。