[发明专利]具有光敏元件的液晶显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有光敏元件的液晶显示器件，包括：

液晶面板，包括在其间具有液晶层而彼此粘接的第一和第二基板、和形成在第二基板上的用于传感来自环境的外部光的光敏元件，

其中光敏元件包括：

形成在第二基板i的缓冲层；

通过使用第一掩模工序形成在缓冲层上的半导体层；

形成在第二基板上用于覆盖半导体层的绝缘膜；

通过使用第二掩模工序形成在绝缘膜上的栅极和离子植入阻止膜；

通过使用第三和第四掩模工序形成在半导体层中的n⁺型和p型离子植入区域的至少一个；

形成在半导体层中的非离子植入区域和轻掺杂区域；

形成在第二基板的整个表面上的钝化膜；

通过使用第五掩模工序形成的用于暴露半导体层的源区和漏区的第一接触孔和用于暴露离子植入阻止膜的第二接触孔；以及

通过使用第六掩模工序形成的与半导体层中的n⁺型和p型离子植入区域的至少一个连接的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述光敏元件还包括：

形成在靠近半导体层的绝缘膜上的第一和第二辅助图案；以及

形成在分别在源极和漏极与第一和第二辅助图案之间交迭的部分中的第一和第二辅助电容。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，通过第五掩模工序形成第二接触孔以用于进一步暴露绝缘膜。

4.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，在形成第二接触孔的工序时移除离子植入阻止膜的中部。

5.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，当形成第二接触孔时，部分地移除离子植入阻止膜，从而离子植入阻止膜仅保留在对应于n⁺型离子植入区域的第二接触孔的一个下边缘处。

6.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于，离子植入阻止膜和栅极由相同的材料形成。

7.一种具有光敏元件的液晶显示器件的制造方法，包括：

制备包含彩色滤色片层的第一基板；

制备包含薄膜晶体管和光敏元件区域的第二基板；和

在第一和第二基板之间形成液晶层，

其中制备第二基板包括：

在第二基板上形成缓冲层；

通过使用第一掩模工序在薄膜晶体管和光敏元件区域的缓冲层上形成半导体层；

在第二基板上形成覆盖半导体层的绝缘膜；

通过使用第二掩模工序在薄膜晶体管区域的绝缘膜上形成与半导体层交迭的栅极，在光敏元件区域的绝缘膜上形成离子植入阻止膜；

通过使用第三掩模工序在薄膜晶体管的半导体层中形成n⁺型和p型离子植入区域中的至少一个，通过使用第四掩模工序在光敏元件区域的半导体层中形成n⁺型和p型离子植入区域中的至少一个和非离子植入区域，通过使用栅极和离子植入阻止膜形成轻掺杂区域；

在第二基板的整个表面上形成钝化膜；

通过使用第五掩模工序形成暴露薄膜晶体管区域的半导体层的源极和漏极区域以及光敏元件区域的半导体层的源极和漏极区域的第一接触孔，并通过暴露离子植入阻止膜或移除离子植入阻止膜的一些部分或整个部分，形成穿过光敏元件区域的非离子植入区域之上的钝化膜的第二接触孔；和

在包含第一和第二接触孔的第二基板上形成金属膜，同时通过使用第六掩模工序构图通过第一接触孔与薄膜晶体管的半导体层连接的源极和漏极、和通过第一接触孔与光敏元件区域的半导体层连接的源极和漏极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：

通过使用第二掩模工序形成第一和第二辅助图案，该第一和第二辅助图案形成在靠近光敏元件区域的半导体层的绝缘膜上并与源极和漏极交迭。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，在形成第二接触孔的工序时完全移除离子植入阻止膜。

10.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，在形成第二接触孔的工序时暴露离子植入阻止膜，并在构图源极和漏极的工序时完全移除离子植入阻止膜。

11.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，在形成第二接触孔的本序时移除离子植入阻止膜的中部。