[发明专利]半导体器件的金属线路图案及其制造方法

权利要求书

1.一种金属线路图案的制造方法，包括：

在半导体衬底上形成初步结构，该初步结构具有下部阻挡金属层、金属层、和具有第一厚度的上部阻挡层和/或钝化层；

移除该上部阻挡层和/或钝化层的上表面，使得该上部阻挡层和/或钝化层具有第二厚度；

在具有第二厚度的该上部阻挡层和/或钝化层上形成次钝化层；

在该次钝化层上形成附着力增强层；

在该附着力增强层上形成光致抗蚀剂图案；以及

采用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻该初步结构，形成金属线路图案。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在移除该上部阻挡层和/或钝化层的上表面之前，在该钝化层上形成氧化物层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中通过移除未对准的光致抗蚀剂图案，在该初步结构上形成该氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在移除该上部阻挡层和/或钝化层的上表面之前，移除形成在该初步结构上的初步光致抗蚀剂图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该次钝化层具有相应于第一和第二厚度之差的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该附着力增强层包括六甲基二硅氮烷。

7.根据权利要求1所述的方法，其中该下部阻挡金属层和该上部阻挡层和/或钝化层中的每个包括Ti或TiN。

8.根据权利要求2所述的方法，其中该氧化物层包括TiON。

9.根据权利要求2所述的方法，其中该氧化物层的厚度从50至150。

10.根据权利要求1所述的方法，其中该第二厚度从100至300。

11.根据权利要求3所述的方法，其中采用含氧等离子体或蚀刻剂移除该光致抗蚀剂图案。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在形成该金属线路图案之后，移除该光致抗蚀剂图案和该附着力增强层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中该上部阻挡层和/或钝化层包括上部阻挡层和钝化层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中该上部阻挡金属层包括Ti、Ta或Hf。

15.根据权利要求13所述的方法，其中该上部阻挡金属层包括Ti。

16.根据权利要求13所述的方法，其中该钝化层包括TiN、TaN、HfN、WN、MoN或TiW。

17.根据权利要求16所述的方法，其中该钝化层包括TiN。

18.根据权利要求15所述的方法，其中该钝化层包括TiN。

19.一种金属线路图案，位于半导体衬底上，包括：

铝；

钝化图案，位于该铝之上，包含Ti、Ta、Hf、Mo或W并且具有100至300的厚度；以及

次钝化图案，位于该钝化图案上。

20.根据权利要求19所述的金属线路图案，进一步包括：

下部阻挡金属图案，包含Ti，位于该铝和该半导体衬底之间；以及

上部阻挡金属图案，包含Ti、Ta或Hf，位于在该铝和该钝化图案之间。