[发明专利]利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置及方法

权利要求书

1、一种降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，至少包含：

将一印框护膜固定在该光掩膜上，其中该印框护膜至少包含一护膜框架及与该护膜框架连接的一护膜，且该印框护膜具有一第一孔与一第二孔，该第一孔与该第二孔均连接一第一空间与该印框护膜外的一第二空间，而该第一空间则由该光掩膜与该印框护膜环设而成的；以及

利用能量源穿过该印框护膜及该光掩膜对该光刻层曝光时，同时使该第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜。

2、根据权利要求1所述的降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，该第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜的步骤至少包含利用该第二孔与一正压力气体源相连。

3、根据权利要求1所述的降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，该第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜的步骤至少包含利用该第一孔与一真空源相连。

4、根据权利要求1所述的降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，该第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜的步骤至少包含：

利用该第二孔与一正压力气体源相连；以及

利用该第一孔与一真空源相连。

5、根据权利要求1所述的降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，该第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜的步骤至少包含：

利用一管路使一正压力气体源对外相连至该印框护膜；以及

在邻近该第一孔处开设一开口，借由该管路内的气流产生的一吸力，驱使该第一空间内的气体经由该第一孔及该开口流入该管路。

6、根据权利要求1所述的降低光掩膜雾化的曝光方法，其特征在于，该能量源为紫外光。

7、一种利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其特征在于，至少包含：

一腔室，该腔室配置成容纳一基材及一光掩膜，其中该基材上设有一光刻层，该光掩膜上固设有一印框护膜，该印框护膜包括一护膜框架及与该护膜框架连接的一护膜，且该印框护膜包括一第一孔与一第二孔，该第一孔与该第二孔均连接一第一空间与该印框护膜外的一第二空间，而该第一空间则由该光掩膜与该印框护膜环设而成；

一影像仪，该影像仪配置于该护膜框架及该光掩模的上方，使该影像仪的一能量源提供的一曝光经由该护膜框架及该光掩膜照射于该光刻层上；以及

一换气装置，在该影像仪利用能量源穿过该印框护膜及该光掩膜对该光刻层曝光时，同时该换气装置配置成导引该第一空间内的气体经由该第一孔而外流至该印框护膜。

8、根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其特征在于，该换气装置包括以流体连接该第一孔的一正压力气体源。

9、根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其特征在于，该换气装置包括以流体连接该第二孔的一真空源。

10、根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其特征在于，该换气装置包括以流体连接该第一孔的一正压力气体源，以及以流体连接该第二孔的一真空源。

11、根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其特征在于，还至少包含配置成容纳该基材的一容置槽。

12、根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其特征在于，还至少包含配置成容纳该光掩膜的一容置槽。

13、根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其特征在于，该换气装置包括一容置槽，且该容置槽配置成将该光掩膜与该印框护膜的至少一个对准该基材。

14、根据权利要求13所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其特征在于，该换气装置包括一过滤装置，且该过滤装置配置成过滤该第一空间与该第二空间之间的气流。

15、根据权利要求7所述的利用换气装置降低光掩膜雾化的曝光装置，其特征在于，其中该能量源为紫外光。