[发明专利]薄膜处理的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体结构的方法，其特征在于，该方法包含：

在衬底表面上形成多个特征结构，在两个邻近特征结构之间存在至少一个空间；

在所述特征结构上和所述至少一个空间内形成第一电介质层；

使部分所述第一电介质层与反应物反应以形成第一固体产物，所述反应物得自第一前驱物和第二前驱物；

分解所述第一固体产物以去除所述部分第一电介质层；以及

形成第二电介质层以填充所述至少一个空间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成多个特征结构包含形成至少多个沟槽、导线、开口、和晶体管栅极。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一电介质层包含形成硅氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述部分第一电介质层与反应物反应包含：

离子化所述第一前驱物和所述第二前驱物；以及

使所离子化的第一前驱物和所离子化的第二前驱物与所述部分第一电介质层反应。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一前驱物为氨气而所述第二前驱物为三氟化氮。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述部分第一电介质层与所述反应物反应包含：

使所述部分第一电介质层与所述第一前驱物和第二前驱物反应。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一前驱物为氨气而所述第二前驱物为氟化氢。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一电介质层包含形成硅氮化物层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，使所述部分第一电介质层与反应物反应包含：

离子化所述第一前驱物和所述第二前驱物；以及

使所述部分硅氮化物层与所离子化的第一前驱物和所离子化的第二前驱物反应。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一前驱物为氢气而所述第二前驱物为三氟化氮。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分解所述第一固体产物包含热处理所述第一固体产物以升华所述第一固体产物。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分解所述第一固体产物包含将所述产物溶解在液体溶液中。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述液体溶液包含水或极性溶剂。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含在所述第一电介质层下面形成衬垫，其中所述第一电介质层对所述衬垫的蚀刻选择性为5：1或更高。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包含：

使部分所述衬垫与得自第三前驱物和第四前驱物的反应物反应，以产生第二固体产物；以及

分解所述第二固体产物以去除所述部分衬垫。

16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包含：

使另一部分所述第一电介质层与得自第三前驱物和第四前驱物的反应物反应，以产生第二固体产物；以及

分解所述第二固体产物以去除所述另一部分第一电介质层。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述特征结构上和所述至少一个空间内形成所述第一电介质层具有600Torr或更高的工艺压力。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，分解所述第一固体产物在所去除的第一电介质层的倾斜侧壁和所去除的第一电介质层的底部之间形成87°或更小的角度。

19.一种在具有底部和侧壁的半导体结构中沉积电介质材料的方法，其特征在于，所述方法包含：

在所述结构的所述底部和侧壁上形成第一电介质层，其中所述第一电介质层部分地填充所述结构；

使部分所述第一电介质层与得自第一前驱物和第二前驱物的反应物反应以形成第一固体产物；

热处理所述第一固体产物以升华所述第一固体产物并在所述结构中形成倾斜开口；以及

形成第二电介质层以填充所述空间。