[发明专利]具寿命记忆功能的继电器及其装置无效

专利信息
申请号: 200710199095.4 申请日: 2007-12-12
公开(公告)号: CN101459014A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 何盛仁;吴坤男 申请(专利权)人: 四零四科技股份有限公司
主分类号: H01H50/00 分类号: H01H50/00;G01R31/327;G06F12/00;G08B3/10;G08B5/22;G06F3/00;H02J7/00
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙皓晨
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 寿命 记忆 功能 继电器 及其 装置
【权利要求书】:

1、一种具寿命记忆功能的继电器,其包括有电磁线圈、切换开关与内存;其特征在于:

所述的电磁线圈接收预设电子装置控制器所传输控制信号产生激磁;

所述的切换开关在电磁线圈激磁时,使所述的切换开关呈现导通或断开状态;与

所述的内存与电磁线圈并联,而所述的内存在所述的电磁线圈激磁时,储存所述切换开关的切换次数。

2、根据权利要求1所述的具寿命记忆功能的继电器,其特征在于:还包括:一警告装置与所述的内存连接。

3、根据权利要求2所述的具寿命记忆功能的继电器,其特征在于:所述的警告装置为蜂鸣器、语音器或发光组件。

4、根据权利要求1所述的具寿命记忆功能的继电器,其特征在于:所述的内存进一步与外部警告装置相连接。

5、根据权利要求4所述的具寿命记忆功能的继电器,其特征在于:所述的警告装置为蜂鸣器、语音器或发光组件。

6、根据权利要求1所述的具寿命记忆功能的继电器,其中所述的内存为ERPOM、EEROM、EPROM、EEPROM、FLASH、AND-FLASH、NAND-FLASH、NOR-FLASH或HDD构成。

7、一种具寿命记忆功能的继电器装置,其包括有电子装置、继电器模块与电源控制电路,其特征在于:

所述的电子装置内部具有控制器,所述的控制器用以产生控制信号;

所述的继电器模块内部为具有接收所述控制器传输控制信号的电磁线圈,并利用所述的控制信号触发一次侧电磁线圈激磁来使二次侧的切换开关呈现导通或断开的状态;

所述的内存与所述的电磁线圈连接,且所述的内存为储存所述的切换开关的切换次数;

所述的电源控制电路与所述的继电器模块二次侧的切换开关相连接,形成所述的电源控制回路,而所述的电源控制电路分别连接有电源输入装置,以及由电源输入装置来提供所需电源的负载;与

所述的警告装置与所述的内存相连接,并由所述的内存对警告装置发送警告信号。

8、根据权利要求7所述的具寿命记忆功能的继电器装置,其特征在于:所述的电子装置为计算机或人机接口。

9、根据权利要求7所述的具寿命记忆功能的继电器装置,其特征在于:所述的内存为ERPOM、EEROM、EPROM、EEPROM、FLASH、AND-FLASH、NAND-FLASH、NOR-FLASH或HDD。

10、根据权利要求7所述的具寿命记忆功能的继电器装置,其特征在于:所述的电源输入装置的电源为交流电或直流电的型式,且所述的电源输入装置为不断电电源系统、电源供应器或电池。

11、根据权利要求7所述的具寿命记忆功能的继电器装置,其特征在于:所述的连接在电磁线圈的内存设置在所述的继电器模块内部。

12、根据权利要求7所述的具寿命记忆功能的继电器装置,其特征在于:所述的连接在电磁线圈的内存为设置在电子装置与继电器模块外部,并分别与所述的电子装置控制器以及警告装置相连接。

13、根据权利要求7所述的具寿命记忆功能的继电器装置,其特征在于:所述的连接在电磁线圈的内存设置在所述的电子装置内部,并分别与所述的电子装置控制器以及警告装置相连接。

14、根据权利要求7所述的具寿命记忆功能的继电器装置,其特征在于:所述的警告装置为蜂鸣器、语音器或发光组件。

15、根据权利要求7所述的具寿命记忆功能的继电器装置,其特征在于:所述的警告装置设置在继电器模块内部。

16、根据权利要求7所述的具寿命记忆功能的继电器装置,其特征在于:所述的警告装置设置在电子装置与继电器模块外部。

17、根据权利要求7所述的具寿命记忆功能的继电器装置,其特征在于:所述的警告装置设置在电子装置内部。

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