[发明专利]硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法

权利要求书

1.一种硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化工艺方法，其特征在于：在减薄硅大直径圆晶片衬底背面前，先分离芯片间玻璃钝化膜层。

2.根据权利要求1所述的分离芯片间玻璃钝化膜层的技术方法，其特征是：

采用划刀法：在半导体器件玻璃钝化硅圆晶片衬底背面减薄前，使用砂轮划片机先将芯片间相联接处的钝化玻璃膜层划断，以分离芯片间玻璃钝化膜层。

3.根据权利要求1所述的分离芯片间玻璃钝化膜层的技术方法其特征是：

采用刻蚀法：在半导体器件玻璃钝化硅圆晶片衬底背面减薄前，使用刻蚀工艺手段先将芯片间相联接处的钝化玻璃膜层刻蚀除去，以分离芯片间玻璃钝化膜层。

4.根据权利要求1所述的一种硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化工艺方法，其特征是：

采用丝网掩膜隔离法：在玻璃钝化工艺中使用丝网漏印掩膜涂敷玻璃浆料、烘干后撤去丝网掩膜，使热成型后相邻管芯间形成不连续的玻璃钝化膜断层，以分离芯片间玻璃钝化膜层。