[发明专利]磁电阻元件

权利要求书

1.一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，

该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，

该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。

2.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其中：

该粒状结构层被插入在被固定层和固定层之间，以及

该导电颗粒由磁性金属材料所制成。

3.根据权利要求1所述的磁电阻元件，其中：该磁电阻效应膜进一步包括选自正向叠加即顶部型自旋阀膜、反向叠加即底部型自旋阀膜，双重类型自旋阀膜、铁销型自旋阀膜、铁销双重型自旋阀膜、以及隧道结膜的膜，该膜被插入在磁电阻效应膜中。

4.一种磁性记录设备，其中包括作为用于磁性再现的磁头的磁电阻元件，

该磁电阻元件通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，

该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，

该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。