[发明专利]检测存储器元件中字线漏电的装置及方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路(integrated circuit，IC)，且特别是涉及一 种IC存储器元件的漏电流测试的方法与装置。

背景技术

图1是一种传统的存储器元件的功能方块图。如图1所示，存储 器元件100包括一字线电源产生器101及数个存储区110、111、...、 119，且字线电源产生器101分别耦接至各个存储区。其中在存储区操 作时，字线电源产生器101会提供字线所需的电压，例如是读取操作 所需的读取电压电平。就一般所熟知地，存储器元件中往往会存在有 漏电状态，而其往往是通过监测存储器元件耗电量，以判别此漏电状 态。然而，在传统技术上仍是有诸多限制与不便，所以目前实亟待一 种存储器漏电测试的改良技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种IC存储器元件的漏电流测试的方 法与装置。本发明仅透过实例而提出监测存储器元件中微电流(cell current)的技术，藉以检测由工艺缺陷所造成的字线漏电状态。除此之 外，本发明的应用范围非常广泛，例如可以应用于IC存储器元件中其 它漏电状态的测试。

本发明提出了一种检测存储器元件中字线漏电的方法。本方法包 括耦接存储器元件中多条第一字线至一电压源，并耦接存储器元件中 多条第二字线至一接地电平电压，其中各个第二字线毗邻于此些第一 字线其中的一对应第一字线。本方法包括等待一第一预定时间，使此 些第一字线得以达到预定电压电平，此预定电压电平例如是存储器读 取操作所需的字线电压电平。并且，在此些字线达到预定电压电平之 后，将此些第一字线与电压源分离。其次，经过一第二预定时间，使 此些第一字线得以放电。此时，字线电压电平将会因本征漏电(intrinsic leakage)或是外部漏电(extrinsic leakage)而下降，此本征漏电例如是结漏 电(junction leakage)，而外部漏电例如是工艺缺陷(process defect)。之后， 本方法包括检测对应此些第一字线的存储器元件电流，并将此电流与 一预定参考电流进行比较。此预定参考电流是用来鉴别对应此些第一 字线的漏电状态。本方法更包括判定此字线漏电状态是否存在，举例 来说，若检测到的电流低于预定参考电流，则判定此字线漏电状态存 在。本实施例的实例，即如图10至图13所示。

此些第一字线和此些第二字线选自于存储器元件的一存储阵列， 此存储阵列例如是透过一阵列选择开关耦接至电压源。如图2所示， 各个第一字线及各个第二字线皆包括一字线驱动装置，此字线驱动装 置是耦接至电压源或接地电平电压，其例如是使用习知技术中已知的 译码电路(decoding circuit)。如图10至图13所示的实例中，此些第一 字线包括存储器元件的多条偶数字线，此些第二字线包括存储器元件 的多条奇数字线。检测电流的步骤包括执行一存储器读取操作，以测 定对应耦接此些第一字线的存储器元件电流。其中用于测试的参数是 使用在特定的测试状况下，举例来说，在选择其第二预定时间时，是 依据对应此些第一字线的电压能得以放电，予以能鉴别其字线漏电状 态。根据漏电检测标准及字线的电容，其第二预定时间约为1微秒(μsec) 至200微秒。在选择其预定参考电流时，是高于对应此些第一字线的 一本征漏电流(intrinsic leakage current)，且合乎于感测放大器的操作范 围。此预定参考电流例如约为10微安培(μA)。