[发明专利]电子冷却装置、图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造装置的方法，包括步骤：

在第一硅化物层和第二硅化物层上均形成p型半导体本体和n型半导体本体，使得所述p型半导体本体和n型半导体本体相互分离；

在所述p型半导体本体和n型半导体本体上形成第一介电层，并暴露所述n型半导体本体和p型半导体本体的上表面；

在所述第一硅化物层上的n型半导体本体上和所述第二硅化物层上的p型半导体本体上形成第三硅化物层；

在所述第三硅化物层上形成第二介电层；以及

蚀刻所述第二介电层和第一介电层以形成接触孔，所述接触孔暴露所述第一硅化物层和第二硅化物层的上表面。

2.如权利要求1所述的方法，还包括步骤：在形成所述p型半导体本体和所述n型半导体本体的步骤之前，在半导体衬底上形成绝缘层，然后在所述绝缘层上形成所述第一硅化物层和第二硅化物层。

3.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述p型半导体本体和所述n型半导体本体的步骤包括：

在所述第一硅化物层和第二硅化物层上形成多晶硅层；以及

在所述多晶硅层中注入杂质。

4.如权利要求2所述的方法，其中，所述绝缘层包括氧化铝层。

5.如权利要求2所述的方法，其中，所述绝缘层的厚度范围为10μm至300μm。

6.如权利要求3所述的方法，其中，所述多晶硅层包括n型掺杂多晶硅，并且形成所述p型半导体本体的步骤包括在所述n型掺杂多晶硅的预定区域中注入p型杂质。

7.如权利要求3所述的方法，其中，所述多晶硅层包括p型掺杂多晶硅，并且形成所述n型半导体本体的步骤包括在所述p型掺杂多晶硅的预定区域中注入n型杂质。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电层和第二介电层均包括氧化物。

9.一种制造可冷却图像传感器的方法，包括步骤：

在第一导体和第二导体上均形成多对p型半导体本体和n型半导体本体，并使所述多对p型半导体本体和n型半导体本体中的各对p型半导体本体和n型半导体本体与其它对p型半导体本体和n型半导体本体相互分离；

在所述多对p型半导体本体和n型半导体本体上形成第一介电层；

暴露所述n型半导体本体和p型半导体本体的上表面；

在各对p型半导体本体和n型半导体本体的最内侧的半导体本体上形成第三导体；

在所述第三导体上形成第二介电层以形成冷却装置；以及

将图像传感器连接至所述冷却装置。

10.如权利要求9所述的方法，还包括步骤：蚀刻所述第二介电层和第一介电层以形成接触孔，所述接触孔暴露所述第一导体和第二导体的上表面。

11.一种电子冷却装置，包括：

绝缘层，位于半导体衬底上；

第一硅化物层和第二硅化物层，位于所述绝缘层上；

第一对p型半导体本体和n型半导体本体，位于所述第一硅化物层上；

第二对p型半导体本体和n型半导体本体，位于所述第二硅化物层上；

第一介电层，位于所述p型半导体本体与n型半导体本体之间；

第三硅化物层，位于所述第一硅化物层的n型半导体和所述第二硅化物层的p型半导体上，并将所述第一硅化物层的n型半导体与所述第二硅化物层的p型半导体相连接；

第二介电层，位于所述第三硅化物层上；以及

多个接触孔，穿过所述第一介电层和第二介电层，暴露所述第一硅化物层和第二硅化物层的上表面。

12.如权利要求11所述的电子冷却装置，其中，所述绝缘层包括氧化铝层。

13.如权利要求11所述的电子冷却装置，其中，所述绝缘层的厚度范围为10μm至300μm。

14.如权利要求11所述的电子冷却装置，其中，所述p型半导体本体包括p型杂质。

15.如权利要求11所述的电子冷却装置，其中，所述n型半导体本体包括n型杂质。

16.如权利要求12所述的电子冷却装置，其中，各所述接触孔是单个或者多个。

17.如权利要求11所述的电子冷却装置，其中，所述第一介电层和第二介电层均包括氧化物层。

18.一种冷却式图像传感器，包括：

CMOS图像传感器；以及

如权利要求11所述的电子冷却装置。