[发明专利]抛光组合物有效
| 申请号： | 200710199423.0 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101215447A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 松田刚;平野达彦;吴俊辉;河村笃纪;酒井谦儿 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;涂勇 |
| 地址： | 日本国爱知县清须*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 组合 | ||
【权利要求书】：
1.一种抛光组合物，它用于形成半导体器件的配线的抛光，所述抛光用组合物含有：用激光衍射分散法测定的50％粒径D50为60～150nm的第1氧化硅、用激光衍射分散法测定的50％粒径D50为10～50nm的第2氧化硅、从羧酸及α-氨基酸中选择的至少一种、防腐蚀剂、表面活性剂、氧化剂、水。
2.根据权利要求1所述的抛光用组合物，其特征在于，用激光衍射分散法测定的第1氧化硅的75％粒径D75与第1氧化硅的25％粒径D25之间的差为10～50nm。
3.根据权利要求1所述的抛光用组合物，其特征在于，用激光衍射分散法测定的第2氧化硅的75％粒径D75与第2氧化硅的25％粒径D25之间的差为10～50nm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的抛光用组合物，其特征在于，抛光用组合物中的第1氧化硅与第2氧化硅的含量之和为0.01～10wt％。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的抛光用组合物，其特征在于，所述防腐蚀剂是用通式：
表示的苯并三唑衍生物，式中，R14表示含有羧基的烷基、含有羟基和叔氨基的烷基、含有羟基的烷基或其他烷基。
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