[发明专利]无须采用额外掩模以相同工艺制造存储与逻辑元件的方法

权利要求书

1.一种制造逻辑和非易失存储器件的方法，包含：

形成氧化层于衬底上；

形成氮化层于所述衬底上；

施加高热处理，其至少足以造成某些氮原子由所述氮化层移动至所述衬底中；

移除所述氮化层与所述氧化层；以及

生长栅极氧化层于所述衬底之上，其中生长所述栅极氧化层造成所述衬底中捕获的这些氮原子移动至所述栅极氧化层中。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述热处理包含施加约在800℃至1200℃之间的温度。

3.如权利要求2所述的方法，其中施加所述温度的时间约在0.5小时至2小时之间。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成所述氧化层包含利用热氧化所述衬底生长所述氧化层。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述氧化层的厚度范围约在10埃(angstrom)至100埃之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中生长所述栅极氧化层包含利用热氧化所述衬底生长所述栅极氧化层。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述栅极氧化层的厚度范围约在50埃至250埃之间。

8.如权利要求1所述的方法，其中还包含形成活性区域于所述衬底中。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成所述活性区域包含利用浅沟槽隔离工艺形成所述活性区域。

10.如权利要求1所述的方法，其中还包含形成多个阱区域于所述衬底中。

11.如权利要求1所述的方法，还包含定义所述逻辑或所述存储器件的沟道长度。

12.如权利要求1所述的方法，还包含为所述逻辑或所述存储器件在所述衬底中形成多个扩散区域。

13.如权利要求1所述的方法，还包含为所述逻辑或所述存储器件形成多个源极与漏极接触。

14.如权利要求1所述的方法，其中还包含形成金属内连接层。

15.一种编程可作为逻辑元件或者非易失存储器件中的一个元件的方法，所述元件包含形成于衬底上的栅极介质层，所述栅极介质层包含多个深空穴陷阱，形成于所述栅极介质层上的栅极电极，以及形成于所述衬底上的多个源极或漏极扩散区域，所述源极或漏极扩散区域邻接于所述栅极介质层，其步骤包含：

施加负电压至所述栅极电极；

施加衬底电压至所述衬底；以及

施加扩散电压至所述源极与所述漏极扩散区域。

16.如权利要求15所述的方法，其中施加至所述栅极电极的所述负电压在大约为-15V至-30V的范围内。

17.如权利要求15所述的方法，其中施加于所述衬底的所述衬底电压为0V。

18.如权利要求15所述的方法，其中施加于所述源极与所述漏极扩散区域的所述扩散电压为0V。

19.一种擦除可作为逻辑元件或非易失存储器件中的一个元件的方法，所述元件包含形成于衬底上的栅极介质层，所述栅极介质层包含多个深空穴陷阱，形成于所述栅极介质层上的栅极电极，以及形成于所述衬底上的多个源极与漏极扩散区域，所述源极与所述漏极扩散区域邻接于所述栅极介质层，其步骤包含：

施加正电压至所述栅极电极；

施加衬底电压至所述衬底；以及

施加扩散电压至所述源极与所述漏极扩散区域。

20.如权利要求19所述的方法，其中施加至所述栅极电极的所述正电压在大约为10V至20V的范围内。

21.如权利要求19所述的方法，其中施加于所述衬底的所述衬底电压为0V。

22.如权利要求19所述的方法，其中施加于所述源极与所述漏极扩散区域的所述扩散电压为0V。