[发明专利]具有视觉检查装置的薄膜晶体管阵列面板及其检查方法有效
申请号: | 200710199628.9 | 申请日: | 2002-06-13 |
公开(公告)号: | CN101221958A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 张龙圭;李源规;全珍 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 视觉 检查 装置 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管面板,包括:
具有显示区域和围绕区域的绝缘衬底;
形成在绝缘衬底上的第一信号线;
形成在绝缘衬底上并与第一信号线绝缘且交叉的第二信号线;
形成在绝缘衬底的围绕区域上的多条驱动信号线;
形成在绝缘衬底的围绕区域上的多条检查信号线;
用于检查的第一薄膜晶体管,其具有连接到第一信号线上的漏极电极、连接到任一条检查信号线上的源极电极、以及连接到任一条驱动信号线上的栅极电极;以及
用于检查的第二薄膜晶体管,其具有连接到第二信号线上的漏极电极、连接到任一条检查信号线上的源极电极、以及连接到任一条驱动信号线上的栅极电极,
其中所述多条驱动信号线连接到截止电压施加端子和用于检查的驱动信号施加焊盘。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板,其中,连接到用于检查的第二薄膜晶体管上的检查信号线包括第一检查信号线和第二检查信号线,且用于检查的第二薄膜晶体管交替地连接到第一检查信号线和第二检查信号线上。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管面板,其中,连接到用于检查的第一薄膜晶体管上的第一检查信号线包括第三和第四检查信号线,且用于检查的第一薄膜晶体管交替地连接到第三检查信号线和第四检查信号线上。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板,其中,连接到用于检查的第二薄膜晶体管上的检查信号线包括第一、第二和第三检查信号线,且用于检查的第二薄膜晶体管依次连接到第一、第二和第三检查信号线上。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管面板,其中,连接到用于检查的第一薄膜晶体管上的检查信号线包括第四和第五检查信号线,且用于检查的第一薄膜晶体管交替地连接到第四和第五检查信号线上。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板,其中,连接到用于检查的第二薄膜晶体管上的驱动信号线包括第一、第二和第三驱动信号线,且用于检查的第二薄膜晶体管依次连接到第一、第二和第三驱动信号线上。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管面板,其中所述第一信号线是栅极线,且所述第二信号线是数据线,所述第一薄膜晶体管包括:
具有显示区域和围绕区域的绝缘衬底;
形成在绝缘衬底上的多条栅极线;
形成在绝缘衬底的围绕区域上的数据驱动信号线;
形成在绝缘衬底的围绕区域上的数据检查信号线;
形成在栅极线、数据驱动信号线和数据检查信号线上的栅极绝缘层;
形成在栅极绝缘层上的第一半导体图案,其至少一部分与数据驱动信号线重叠;
形成在第一半导体图案上并在其间暴露出与数据驱动信号线相对应的一部分第一半导体图案的第一和第二欧姆接触层;
形成在栅极绝缘层上并与栅极线相交的多条数据线;
形成在栅极绝缘层上的用于检查的第一电极,其至少一部分形成在第一欧姆接触层上;
形成在数据线和用于检查的第一电极上的钝化层;以及
形成在钝化层上并与数据检查信号线和用于检查的第一电极相连的第一连接部分,
其中所述多条数据线形成在所述栅极绝缘层上并与所述栅极线相交以限定所述显示区域,其至少一部分形成在第二欧姆接触层上。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管面板,还包括:
形成在绝缘衬底的围绕区域上的栅极驱动信号线;
形成在绝缘衬底的围绕区域上的栅极检查信号线;
所述第二薄膜晶体管包括:
形成在栅极绝缘层上的第二半导体图案,其至少一部分与栅极驱动信号线重叠;
形成在第二半导体图案上并在其间暴露出与栅极驱动信号线相对应的一部分第二半导体图案的第三和第四欧姆接触层;
形成在栅极绝缘层上的用于检查的第二电极,其至少一部分形成在第三欧姆接触层上;
形成在栅极绝缘层上的用于检查的第三电极,其至少一部分形成在第四欧姆接触层上;
形成在钝化层上并连接栅极线和用于检查的第三电极的第二连接部分;以及
形成在钝化层上并连接栅极检查信号线和用于检查的第二电极的第三连接部分。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管面板,其中,第一到第四欧姆接触层分别形成在数据线和用于检查的第一到第三电极的整个表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的