[发明专利]半导体集成电路及其操作方法无效
申请号: | 200710199845.8 | 申请日: | 2007-12-14 |
公开(公告)号: | CN101206917A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
发明(设计)人: | 金真怜;宋基焕;朴德夏 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063;G11C11/4091 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 及其 操作方法 | ||
1.一种半导体集成电路,包括:
多个字线;
与该多个字线交叉的多个位线;
在该多个字线和多个位线的交叉处形成并连接到该多个字线和多个位线的多个存储器单元,该多个存储器单元的每一个是浮置体单元;
位线选择电路,其被配置为选择性地将该多个位线的每一个连接到输出位线;
多个读出放大器,该多个读出放大器的数目大于1且小于该多个位线的数目;以及
读出放大器开关结构,其被配置为选择性地将该多个读出放大器的每一个连接到所述输出位线。
2.如权利要求1所述的半导体集成电路,其中,该多个读出放大器的数目是2。
3.如权利要求2所述的半导体集成电路,其中,该读出放大器开关结构包括与该多个读出放大器的每一个相关的开关,并且每个开关选择性地将所相关的读出放大器与所述输出位线相连。
4.如权利要求3所述的半导体集成电路,还包括:
输出开关结构,其包括与每个读出放大器相关的输出开关,每个开关选择性地将所相关的读出放大器的输出连接到输出线。
5.如权利要求2所述的半导体集成电路,还包括:
控制器,其被配置为控制所述读出放大器开关结构的操作。
6.如权利要求5所述的半导体集成电路,其中,该控制器被配置为控制所述读出放大器开关结构,以使得在所述多个存储器单元的连续存取期间,所述两个读出放大器交替连接到所述输出位线。
7.如权利要求5所述的半导体集成电路,其中,该控制器被配置为控制所述读出放大器开关结构,以使得同一个读出放大器不用于所述多个存储器单元的两个连续的存取操作。
8.如权利要求5所述的半导体集成电路,其中
在读出操作后,该多个读出放大器的每一个进行均衡操作;并且
所述控制器控制所述读出放大器开关结构,以使得选择该读出放大器中的一个,而该读出放大器中的另一个则进行均衡操作。
9.如权利要求1所述的半导体集成电路,其中,该多个读出放大器的数目是4。
10.如权利要求9所述的半导体集成电路,其中,该读出放大器开关结构包括与该多个读出放大器的每一个相关的开关,并且每个开关选择性地将所相关的读出放大器与所述输出位线相连。
11.如权利要求10所述的半导体集成电路,还包括:
输出开关结构,其包括与每个读出放大器相关的输出开关,每个开关选择性地将所相关的读出放大器的输出连接到输出线。
12.如权利要求9所述的半导体集成电路,还包括:
控制器,其控制所述读出放大器开关结构的操作。
13.如权利要求12所述的半导体集成电路,其中,该控制器被配置为控制所述读出放大器开关结构,以使得在所述多个存储器单元的连续存取期间,所述4个读出放大器交替连接到所述输出位线。
14.如权利要求12所述的半导体集成电路,其中,该控制器被配置为控制所述读出放大器开关结构,以使得同一个读出放大器不用于所述多个存储器单元的两个连续的存取操作。
15.如权利要求12所述的半导体集成电路,其中
在读出操作后,该多个读出放大器的每一个进行均衡操作;并且
所述控制器控制所述读出放大器开关结构,以使得选择该读出放大器中的一个,而该读出放大器中的另一个则进行均衡操作。
16.如权利要求1所述的半导体集成电路,其中,该读出放大器开关结构包括与该多个读出放大器的每一个相关的开关,并且每个开关选择性地将所相关的读出放大器与所述输出位线相连。
17.如权利要求1所述的半导体集成电路,还包括:
输出开关结构,其包括与每个读出放大器相关的输出开关,每个开关选择性地将所相关的读出放大器的输出连接到输出线。
18.如权利要求1所述的半导体集成电路,还包括:
控制器,其控制所述读出放大器开关结构的操作。
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