[发明专利]形成基于氧化物的纳米结构材料的方法

权利要求书

1.一种形成基于氧化物的纳米结构材料的方法，该方法包括：

在衬底上涂布溶液，该溶液包含(a)含有作为过渡金属或半金属的M的有机前体和(b)溶解该有机前体的有机溶剂；

通过使涂有该溶液的衬底退火而在该衬底上形成组成为M_xO_y的纳米核，其中x是1-3的整数且y是1-6的整数；

通过在向纳米核中提供含有M的反应前体的同时生长纳米核而形成组成为M_xO_y的纳米结构材料，其中x是1-3的整数且y是1-6的整数；以及

使该纳米结构材料退火。

2.权利要求1的方法，其中M是选自Ti、V、Cr、Zn、Y、Zr和Nb的过渡金属。

3.权利要求1的方法，其中M是选自Si、Ge和As的半金属。

4.权利要求1的方法，其中该溶液是通过混合作为有机前体的M(CH₃COO)₂·2H₂O和作为有机溶剂的基于醇的有机溶剂而制得的。

5.权利要求4的方法，其中该有机前体和该基于醇的有机溶剂以1∶1-1∶5000的体积比混合。

6.权利要求1的方法，其中该溶液在衬底上的涂布是利用浸渍、旋涂或喷涂进行的。

7.权利要求1的方法，其中涂有该溶液的衬底的退火是在50-500℃的温度范围内进行的。

8.权利要求7的方法，其中涂有该溶液的衬底的退火进行1秒-1小时。

9.权利要求1的方法，其中该纳米结构材料的形成是利用选自溅射、热化学气相沉积、金属-有机CVD(MOCVD)、气-液-固相外延(VSLE)、脉冲激光沉积(PLD)和溶胶-凝胶工艺的工艺生长该纳米核进行的。

10.权利要求1的方法，其中该纳米结构材料的退火是在100-1200℃的温度范围内进行的。

11.权利要求10的方法，其中该纳米结构材料的退火进行1分钟-24小时。

12.权利要求1的方法，其中该纳米结构材料具有纳米线形状、纳米棒形状或纳米壁形状。

13.权利要求1的方法，其中该衬底由选自Al₂O₃、石英、Si、GaN和玻璃的一种形成。