[发明专利]镜片光穿透率检测装置及镜片组装设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种镜片光穿透率检测装置，以及涉及一种集成有该镜片光穿透率检测装置的镜片组装设备。

背景技术

镜片，例如用在各式眼镜中，用在摄像镜头中等，是生产和生活常见的光学元器件。这类镜片中，对光、或是对特定波段的光的穿透率往往是衡量其光学性能的一个重要参数。

一种典型的镜片光穿透率检测方法采用如下方式对待测镜片进行检测：将一光源设置于一待测镜片一侧，在该镜片的另一侧设置一光电倍增管(Photo Multiplier Tube，简称PMT)，当该光源发出的光束投射至该镜片上时，部分光会穿透该镜片且被该光电倍增管侦检到，然后使用一比较器比较投射至该镜片上的光信号强度与穿透该镜片的光信号强度，从而得出该镜片的光穿透率。然而，光电倍增管的侦检速度极慢，一次只能采集到一个像素，如此对于较大的镜片，此种检测速率远远无法满足现代工业生产的要求。

发明内容

有鉴于此，提供一种检测速度较快的镜片光穿透率检测装置，以及集成有该镜片光穿透率检测装置的镜片组装设备实为必要。

一种镜片光穿透率检测装置，其包括一光源装置、一聚焦装置、一积分球、一移动平台、一侦检器以及一处理器。所述光源装置用于发出一定波长范围的光束；所述聚焦装置用于将所述光束准直且聚焦投射至所述待测镜片上；所述积分球用于接收所述光束穿透所述待测镜片后的光束；所述移动平台用于使所述待测镜片与所述聚焦装置及积分球相对移动；所述侦检器包括一感光元件以用于侦检所述积分球接收的光束并转换为一待比较信号，该感光元件选自电荷偶合装置及互补金属氧化物半导体之一；所述处理器用于比较投射至所述待测镜片的光束的信号强度与所述侦检器侦检到的待比较信号强度，以得出所述待测镜片的光穿透率。

一种镜片组装设备，其集成有一上述的镜片光穿透率检测装置。

相对于现有技术，所述镜片光穿透率检测装置使用一聚焦装置及一积分球与待测镜片相对设置，分别用作投射光线及接收光线，且使用一移动平台使待测镜片与聚焦装置及积分球可相对移动，如此可连续地对待测镜片进行检测，另外，所述侦检器可以实现快速地侦检信号，如此整个镜片光穿透率检测装置可以成为自动的快速检测装置。所述镜片组装设备可以使镜片光穿透率检测与镜片组装先后连续进行。

附图说明

图1是本发明的实施例提供的镜片光穿透率检测装置示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的镜片光穿透率检测装置及镜片组装设备作进一步详细说明

请参阅图1，本发明的实施例提供的镜片光穿透率检测装置100，用于对待测镜片200的光穿透率进行检测，其包括一光源装置10，一聚焦装置20，一积分球30，一侦检器40，一处理器50，一承载所述待测镜片200的第一移动平台300，以及一承载所述聚焦装置20及积分球30的第二移动平台400。

所述光源装置10的光源可以为卤素灯、白炽灯、激光二极管或发光二极管，且其功率可以为150瓦(W)。所述光源装置10上还设置有一控制器11，该控制器11可以内置一滤光调节器及一光电感应器，所述滤光调节器可以根据实际需要，例如所述侦检器40的侦检范围来调节发射出的光束的波长范围，本实施例中其可以在200~1100纳米(nm)之间；所述光电感应器可以使用电荷偶合装置(Charge Coupled Device，简称CCD)或互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，简称CMOS)，用于感应发射出的光束的信号强度。

所述聚焦装置20可以依序设置一准直透镜及一聚焦透镜，所述聚焦装置20与所述待测镜片200相对，并且与所述光源装置10之间通过一具有一定长度的第一光传导元件61例如光纤连接，所述第一光传导元件61将所述光源装置10发出的光束传导至所述聚焦装置20上方，并通过所述准直透镜变成一平行光束，然后通过所述聚焦透镜会聚至所述待测镜片200上。

所述积分球30为中空，内表面呈圆球形且内壁设置有反射涂层31，其内径可以在50~60毫米之间。所述积分球30开设有一入光口32及一出光口33，所述入光口32与所述待测镜片200及聚焦装置20均相对，并用于接收穿透待测镜片200的光束，其直径可以在10~12毫米之间；所述出光口33位于与所述入光口32夹角为90度的位置，其直径也可以在10~12毫米之间；所述入光口32的设计使穿透待测镜片200的光束更完全地被接收，然后由内壁反射而通过出光口33进入一具有一定长度的第二光传导元件62。