[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其包括基底、形成在基底上的半导体发光结构、以及极性相反的第一电极和第二电极，所述半导体发光结构包括一第一型半导体层和一第二型半导体层，所述第一电极和第二电极分别与第一型半导体层和第二型半导体层形成电连接，其特征在于：所述第二电极包括一透光导电层和一与透光导电层电接触的图案化金属导电层，所述透光导电层的到图案化金属导电层的最小横向距离小于等于300微米的区域之面积总和为透光导电层所在区域之面积的80％及以上。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述图案化金属导电层包括接触垫以及从该接触垫延伸出来的延长臂。

3.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透光导电层与第二型半导体层形成欧姆接触，所述图案化金属导电层位于透光导电层的远离第二型半导体层的一侧。

4.如权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透光导电层与第二型半导体层形成欧姆接触，所述延长臂位于透光导电层的邻近第二型半导体层的一侧，所述接触垫从透光导电层的远离第二型半导体层的一侧贯穿该透光导电层以与所述延长臂相连。

5.如权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于，所述接触垫及延长臂与第二型半导体层形成肖特基接触。

6.如权利要求2至5任意一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述接触垫的厚度大于延长臂的厚度。

7.如权利要求2至5任意一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述延长臂为直条形、L形、U形、或Z形。

8.如权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，所述图案化金属导电层包括两个接触垫以及从该两个接触垫延伸出来的两个L形延长臂，该接触垫与L形延长臂构成一大致呈方形的连续环状结构，所述第二型半导体层的远离所述基底的一侧具有一未被所述第一型半导体覆盖的暴露部分，所述第二电极设置在该暴露部分且由所述连续环状结构环绕。

9.如权利要求1至5任意一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述基底为绝缘基底，所述第一型半导体层具有一未被第二型半导体层覆盖的暴露部分，所述第一电极位于该暴露部分且与第一型半导体层形成欧姆接触。

10.如权利要求1至5任意一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述基底为可导电的基底，所述第一电极位于所述可导电的基底的远离第一型半导体层的一侧以与所述第一型半导体层形成电连接。

11.如权利要求1至5任意一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一型半导体层和第二型半导体层分别为N型半导体层和P型半导体层。

12.如权利要求1至5任意一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述透光导电层是透明的且由金属掺杂之金属氧化物制成。

13.如权利要求12所述的半导体发光元件，其特征在于，所述金属掺杂之金属氧化物选自铟掺杂一氧化锡、锡掺杂三氧化二镓、锡掺杂银铟氧化物、铟锡氧化物、锌掺杂三氧化二铟、锑掺杂二氧化锡和铝掺杂氧化锌。

14.一种半导体发光元件，其包括基底、形成在基底上的半导体发光结构、以及极性相反的第一电极和第二电极，所述半导体发光结构包括一第一型半导体层和一第二型半导体层，所述第一电极和第二电极分别与第一型半导体层和第二型半导体层形成电连接，其特征在于：所述第二电极包括一透光导电层和一与透光导电层电接触的图案化非透光导电层，所述透光导电层的到图案化非透光导电层的最小横向距离小于等于300微米的区域之面积总和为透光导电层所在区域之面积的80％及以上。

15.如权利要求14所述的半导体发光元件，其特征在于，所述图案化非透光导电层是由金属或金属合金制成的。