[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制作方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光元件，其包括：

一基底：

一形成在所述基底上的多层磊晶膜结构，其包括沿远离所述基底的方向排列的第一型氮化物半导体层、氮化物半导体活性层及第二型氮化物半导体层，所述第一型氮化物半导体层与第二型氮化物半导体层具有相反的导电类型，所述多层磊晶膜结构形成有一平台结构，所述平台结构至少包括所述第二型氮化物半导体层及氮化物半导体活性层，所述平台结构具有一远离所述基底的顶面以及与顶面相邻的侧面，所述第一型氮化物半导体层形成有一远离所述基底的暴露面，所述侧面位于所述顶面与暴露面之间；一第一型电极，其位于所述暴露面上并与所述第一型氮化物半导体层形成欧姆接触；以及

一第二型电极，其位于所述顶面上并与所述第二型氮化物半导体层形成欧姆接触；其特征在于：

所述多层磊晶膜结构的晶体生长方向与其(0001)晶向相交，所述顶面及侧面为粗化表面。

2.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述基底为一单晶基板，其具有一邻近所述多层磊晶膜结构的晶面，所述晶面的晶向与所述多层磊晶膜结构的晶体生长方向相匹配。

3.如权利要求2所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述单晶基板的材料为蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、偏铝酸锂、氧化镁、氧化锌、氮化镓、氮化铝或氮化铟。

4.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述第一型氮化物半导体层、氮化物半导体活性层及第二型氮化物半导体层由III族氮化物半导体材料制成。

5.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述多层磊晶膜结构的表面原子包括金属原子和氮原子。

6.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述多层磊晶膜结构的晶体生长方向与其(0001)晶向垂直相交。

7.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述粗化表面是经由湿法蚀刻形成的。

8.如权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述顶面与侧面形成有多个凹洞。

9.一种氮化物半导体发光元件的制作方法，其包括步骤：

提供一基底；

在所述基底上外延生长一多层磊晶膜结构，其包括一第一型氮化物半导体层，一氮化物半导体活性层以及一与第一型氮化物半导体层之导电类型相反的第二型氮化物半导体层，所述第一型氮化物半导体层、氮化物半导体活性层及第二型氮化物半导体层沿远离所述基底的方向排列，所述多层磊晶膜结构的晶体生长方向与其(0001)晶向相交；

图案化所述多层磊晶膜结构以形成一平台结构并部分暴露所述第一型氮化物半导体层；

在所述多层磊晶膜结构上形成分别与第一型氮化物半导体层及第二型氮化物半导体层形成欧姆接触的第一型电极及第二型电极；以及

利用湿法蚀刻工艺在所述多层磊晶膜结构的平台结构上形成粗化表面。

10.如权利要求9所述的氮化物半导体发光元件的制作方法，其特征在于，所述平台结构至少包括所述第二型氮化物半导体层及氮化物半导体活性层，其具有一远离所述基成的顶面及与顶面相邻的侧面，所述顶面与侧面为所述粗化表面。

11.如权利要求9所述的氮化物半导体发光元件的制作方法，其特征在于，所述基底为一单晶基板，其具有一邻近所述多层磊晶膜结构的晶面，所述晶面的晶向与所述多层磊晶膜结构的晶体生长方向相匹配。

12.如权利要求9所述的氮化物半导体发光元件的制作方法，其特征在于，所述所述第一型氮化物半导体层、氮化物半导体活性层及第二型氮化物半导体层由III族氮化物半导体材料制成。

13.如权利要求12所述的氮化物半导体发光元件的制作方法，其特征在于，所述多层磊晶膜结构的晶体生长方向与其(0001)晶向垂直相交。

14.如权利要求12或13项所述的氮化物半导体发光元件的制作方法，其特征在于，所述湿法蚀刻工艺采用的化学蚀刻溶液为包含磷酸和硫酸的酸性溶液或包含氢氧化钾的碱性溶液。