[发明专利]太阳能电池及其制造设备和制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，该太阳能电池包括：

一个可以挠曲的基板，该基板的材料是不锈钢；

一层背电极，该背电极形成在该基板的一个表面上；

一层P型半导体层，该P型半导体层形成在该背电极上；

一层P-N结层，该P-N结层形成在该P型半导体层上；

一层N型半导体层，该N型半导体层形成在该P-N结层上；

一层透明导电层，该透明导电层形成在该N型半导体层上；

一层前电极，该前电极形成在该透明导电层上。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该基板的材料是奥氏体不锈钢、铁素体不锈钢或者马氏体不锈钢。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该基板的厚度在10μm至100μm之间。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该背电极的材料是银、铜、钼、铝、铜铝合金、银铜合金或者铜钼合金。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该P型半导体层的材料是P型非晶硅、氮化铝镓或者砷化铝镓。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该P-N结层的材料是铜铟镓硒、碲化镉或者铜铟硒。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该N型半导体层的材料是N型非晶硅、氮化钾或者磷化铟镓。

8.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该透明导电层的材料是铟锡氧化层或者氧化锌。

9.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于：不锈钢基板由放卷轴出发，依次经由第一导向轴、滚轴及第二导向轴，卷绕在收卷轴上，在该放卷过程中，不锈钢基板依次经过第一溅射区、第一沉积区、第二溅射区、第二沉积区、第三溅射区及第四溅射区，在该第一溅射区通过溅射法在基板的一个表面上形成一层背电极，在该第一沉积区通过化学气相沉积法在该背电极上形成一层P型半导体层，在该第二溅射区通过溅射法在该P型半导体层上形成一层P-N结层，在该第二沉积区通过化学气相沉积法在该P-N结层上形成一层N型半导体层，在该第三溅射区通过溅射法在该N型半导体层上形成一层透明导电层，在该第四溅射区通过溅射法在该透明导电层上形成一层前电极，从而得到太阳能电池。

10.一种用于制造太阳能电池的设备，其特征在于，该设备包括：

一个缠绕室，该缠绕室内设置有一个放卷轴和一个收卷轴，该放卷轴用于缠绕可以挠曲的不锈钢基板并且将该基板从该放卷轴放出，该收卷轴用于将镀膜后的该基板卷起；

一个镀膜室依次设置有第一溅射区、第一沉积区、第二溅射区、第二沉积区、第三溅射区及第四溅射区，每个区分别设置有至少一个滚轴，可以挠曲的不锈钢基板的第一端缠绕在放卷轴上，该不锈钢基板的第二端依次通过各滚轴缠绕在收卷轴上，从而该不锈钢基板可以从放卷轴出发依次经过第一溅射区、第一沉积区、第二溅射区、第二沉积区、第三溅射区及第四溅射区，从而缠绕在该收卷轴上，该第一溅射区用于通过溅射法在基板的一个表面上形成一层背电极，该第一沉积区用于通过化学气相沉积法在该背电极上形成一层P型半导体层，该第二溅射区用于通过溅射法在该P型半导体层上形成一层P-N结层，该第二沉积区用于通过化学气相沉积法在该P-N结层上形成一层N型半导体层，该第三溅射区用于通过溅射法在该N型半导体层上形成一层透明导电层，该第四溅射区用于通过溅射法在该透明导电层上形成一层前电极，从而得到太阳能电池。