[发明专利]太阳能屋顶及太阳能屋无效
申请号: | 200710201332.6 | 申请日: | 2007-08-10 |
公开(公告)号: | CN101363267A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 陈杰良 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | E04D13/18 | 分类号: | E04D13/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 屋顶 | ||
【权利要求1】一种太阳能屋顶,其包括一个屋顶本体及覆盖于该屋顶本体表面的可挠曲的太阳能电池,该太阳能电池沿着一个穹顶的表面设置,从而该太阳能电池可以接收太阳处于天空不同位置时发出的太阳光。
【权利要求2】如权利要求1所述的太阳能屋顶,其特征在于,该穹顶为球体穹顶或者椭球体穹顶。
【权利要求3】如权利要求2所述的太阳能屋顶,其特征在于,该球体穹顶是半球体穹顶。
【权利要求4】如权利要求2所述的太阳能屋顶,其特征在于,该类似球体的穹顶是半椭球体穹顶。
【权利要求5】如权利要求1所述的太阳能屋顶,其特征在于,该屋顶本体是由玻璃或者玻璃纤维制成。
【权利要求6】如权利要求1所述的太阳能屋顶,其特征在于,该太阳能电池包括一个基板、一层背电极、一层P型半导体层、一层P-N结层、一层N型半导体层及一层前电极,该背电极形成在该基板上,该P型半导体层形成在该背电极上,该P-N结层形成在该P型半导体层上,该N型半导体层形成在该P-N结层上,该前电极形成在该P-N结层上。
【权利要求7】如权利要求6所述的太阳能屋顶,其特征在于,该基板的材料是聚合物、不锈钢或者铝镁合金。
【权利要求8】如权利要求6所述的太阳能屋顶,其特征在于,该P-N结层的材料是铜铟镓硒、碲化镉或者铜铟硒。
【权利要求9】一种太阳能屋,其包括:
一个房屋主体;及
一个如权利要求1-8任一项所述的太阳能屋顶,该太阳能屋顶覆盖于该房屋主体上,从而该房屋主体支撑该太阳能屋顶。
【权利要求10】一种太阳能收集装置,其包括一个本体及覆盖于该本体表面的可挠曲的太阳能电池,该本体用于支撑该太阳能电池,该太阳能电池沿着一个穹顶的表面设置,从而该太阳能电池可以接收太阳处于天空不同位置时发出的太阳光。
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