[发明专利]表面贴装型发光二极管组件及发光二极管背光模组有效

专利信息
申请号: 200710201358.0 申请日: 2007-08-14
公开(公告)号: CN101369619A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 赖志铭;徐弘光 申请(专利权)人: 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;G02F1/13357
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摘要:
搜索关键词: 表面 贴装型 发光二极管 组件 背光 模组
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种表面贴装型发光二极管组件及采用该表面贴装型发光二极管组件的发光二极管背光模组。

背景技术

发光二极管(LED,Light Emitting Diode)以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点,从而可广泛应用于液晶显示器的背光源,可参见Chien-Chih Chen等人在文献IEEE Transactions on power electronics,Vol.22,No.3May 2007中的S equential Color LED Backlight Driving System forLCD Panels一文。

常见的LED的背光源包括具有光入射面的导光板,以及与该入射面相对设置的表面贴装型LED(Surface Mount LED)。该表面贴装型LED包括基底、设置在基底上的LED芯片,以及设置在基底上并覆盖该LED芯片的封装体,该封装体的远离所述基底的一侧的表面为出光面,且该出光面为平面。当LED芯片发出的光透射过封装体并从出光面出射至封装体外部的空气中时,光是从光密介质传向光疏介质的,因此部分到达出光面的光会产生全反射现象,使得LED芯片发出的光无法完全出射至导光板内部,从而造成光能量的损失。

有鉴于此,有必要提供一种可减少全反射现象以尽量减少光能量损失的表面贴装型发光二极管组件及发光二极管背光模组。

发明内容

下面将以具体实施例说明一种可减少全反射现象以尽量减少光能量损失的表面贴装型发光二极管组件及发光二极管背光模组。

一种表面贴装型发光二极管组件,其包括基底,焊盘,发光二极管芯片以及封装透镜,该焊盘、发光二极管芯片及封装透镜均设置在该基底上,该焊盘与所述发光二极管芯片电连接,该封装透镜覆盖所述发光二极管芯片,其中,所述封装透镜包括远离所述发光二极管芯片的出光面,该出光面包括一第一出光部、一第二出光部及一第三出光部,该第一、第二、第三出光部均与基底相接,该第一出光部沿一远离基底的方向凸起而形成曲面,该第二出光部及第三出光部分别与第一出光部相邻,该第二出光部与第三出光部相对设置在第一出光部的两侧且由第一出光部所隔开。

一种发光二极管背光模组,包括表面贴装型发光二极管组件及导光板,所述导光板包括一第一表面,该表面贴装型发光二极管组件包括基底,焊盘,发光二极管芯片以及封装透镜,该焊盘、发光二极管芯片及封装透镜均设置在该基底上,该焊盘与所述发光二极管芯片电连接,该封装透镜覆盖所述发光二极管芯片,其中所述封装透镜包括远离所述发光二极管芯片的出光面,该出光面包括一第一出光部、一第二出光部及一第三出光部,该第一、第二、第三出光部均与基底相接,该第一出光部沿一远离基底的方向凸起而形成曲面,该第二出光部及第三出光部分别与第一出光部相邻,该第二出光部与第三出光部相对设置在第一出光部的两侧且由第一出光部所隔开,所述第一表面上向内凹设有收容部,所述封装透镜收容在该收容部内。

与现有技术相比,所述表面贴装型发光二极管组件,其出光面包括一第一出光部且该第一出光部为曲面,从而可使来自发光二极管芯片的光线经由封装透镜以尽可能小的入射角度入射至该出光面,以减少全反射现象的发生,该种表面贴装型发光二极管组件及采用该种表面贴装型发光二极管组件的发光二极管背光模组可具有出光效率高的特点。

附图说明

图1是本发明第一实施例所提供的表面贴装型发光二极管组件的立体结构示意图。

图2是图1所示表面贴装型发光二极管组件的剖面结构示意图。

图3是本发明第二实施例所提供的背光模组的截面示意图。

图4是本发明第三实施例所提供的表面贴装型发光二极管组件的立体结构示意图。

图5是图4所示表面贴装型发光二极管组件的俯视图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。

参见图1及图2,本发明第一实施例所提供的表面贴装型发光二极管组件10包括:基底11,发光二极管芯片12以及封装透镜13。

该基底11用于承载所述发光二极管芯片12,其材质可为氮化镓等半导体材料。该基底11上还设置有用于向发光二极管芯片12供电的第一电极110、第二电极112,该第一电极110、第二电极112分别与发光二极管芯片12电连接并在基底11上形成焊盘结构。

该发光二极管芯片12设置在基底11上,其可为氮化镓(GaN)发光二极管芯片、氮化铟镓(InGaN)发光二极管芯片或磷化铝铟镓(AlInGaP)发光二极管芯片等。

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