[发明专利]支持混合式存储器的主机板

权利要求书

1.一种支持混合式存储器的主机板，包括一第一连接器、一第二连接器及一与所述第一连接器及所述第二连接器连接的电压调节电路，所述电压调节电路包括一控制器、一反馈偏压电路、一滤波器及一线性稳压器，所述控制器包括一反馈引脚，所述反馈偏压电路连接所述控制器的反馈引脚以将所述控制器反馈引脚端的反馈电压调整至所述控制器反馈引脚的一设定值，所述滤波器连接于所述控制器与所述线性稳压器之间以将所述控制器输出端输出的一第一电压信号经滤波后提供给所述线性稳压器及所述第一连接器及第二连接器，所述线性稳压器将经滤波后的所述第一电压信号转换为一第二电压信号后提供给所述第一连接器及第二连接器，所述第一连接器用以安装一第一类型存储器，所述第二连接器用以安装一第二类型存储器，当所述第一或第二类型存储器被安装于与其对应的连接器时，所述安装有对应存储器的连接器产生一识别信号，所述电压调节电路根据所述识别信号判别被安装在所述主机板上的存储器类型，并为所述类型的存储器提供适合的工作电压。

2.如权利要求1所述的支持混合式存储器的主机板，其特征在于：所述反馈偏压电路包括一第一场效应晶体管及一第二场效应晶体管，所述第一及第二场效应晶体管的栅极分别与所述第一连接器及第二连接器的一接地引脚连接，所述第一场效应晶体管的栅极还通过一第一电阻与一电源连接，所述第一场效应晶体管的源极接地，所述第一场效应晶体管的漏极与所述第二场效应晶体管的栅极连接并通过一第二电阻与所述电源连接，所述第二场效应晶体管的源极接地，所述第二场效应晶体管的漏极通过一第三电阻与所述控制器的反馈引脚连接，所述第二场效应晶体管的漏极还通过一第四电阻接地并通过一第五电阻分别与所述滤波器的输出端及所述第一及第二连接器相连。

3.如权利要求2所述的支持混合式存储器的主机板，其特征在于：所述第一场及第二场效应晶体管均为NMOS场效应晶体管。

4.如权利要求2所述的支持混合式存储器的主机板，其特征在于：所述第一连接器为DDR2连接器，所述第二连接器为DDR3连接器。

5.如权利要求2所述的支持混合式存储器的主机板，其特征在于：所述第一至第五电阻的阻值分别为4.7千欧姆、4.7千欧姆、2.4千欧姆、1.2千欧姆及1.1千欧姆，且所述控制器的反馈引脚的电压设定为0.78V。