[发明专利]太阳能电池无效
| 申请号： | 200710201402.8 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101373795A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 陈杰良 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【权利要求1】一种太阳能电池，其包括：
一背电极层；
一P型半导体层；
一N型半导体层；
一透明导电层，所述背电极层及透明导电层分别与所述P型半导体层及N型半导体层接触，其特征在于，该透明导电层包括一基质及分散在该基质中的光触媒纳米微粒。
【权利要求2】如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述背电极层材质选自铝、银、铜、钼等金属单质或其合金。
【权利要求3】如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述P型半导体层材质为P型氢化非晶硅或P型化合物半导体。
【权利要求4】如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述N型半导体层材质为N型氢化非晶硅或N型化合物半导体。
【权利要求5】如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，进一步包括一P-N过渡层，该P-N过渡层介于P型半导体层与N型半导体层之间，该P-N过渡层材质为掺杂镓的硒化铜铟。
【权利要求6】如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层厚度在300纳米~900纳米之间。
【权利要求7】如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层的基质为透明导电氧化物。
【权利要求8】如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电氧化物为铟锡氧化物、氧化锌或掺杂氧化铝的氧化锌。
【权利要求9】如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述光触媒纳米微粒为二氧化钛。
【权利要求10】如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述光触媒纳米微粒粒径在20纳米至100纳米之间。
【权利要求11】如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述光触媒纳米微粒占所述透明导电层质量的1％~5％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
